类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-1.6A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4A
　　导通电阻（RDS(on)）：330mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：400mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.5V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：220pF（@ VDS = 10V）
　　开关时间（开启时间）：7ns
　　开关时间（关闭时间）：18ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-523（SC-70）

ZXRE160AH5TA采用先进的TrenchFET工艺技术，实现了优异的电气性能和可靠性。该器件的关键特性之一是其低导通电阻，在VGS = -4.5V条件下，RDS(on)仅为330mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率。对于电池供电设备而言，这种低损耗特性有助于延长续航时间。同时，在VGS = -2.5V时，其RDS(on)仍保持在400mΩ以内，表明该器件对低电压驱动信号也有良好的响应能力，适合使用3.3V或更低逻辑电平直接驱动。
　　该MOSFET具备快速的开关响应能力，开启时间约为7ns，关闭时间约为18ns，能够在高频开关应用中有效减少开关过渡期间的能量损失，进一步提升系统效率。其输入电容仅为220pF，减小了驱动电路的负载，降低了驱动功耗。此外，器件的栅极阈值电压范围为-0.5V至-1.0V，确保了稳定的开启行为，并避免因阈值漂移导致的误动作。
　　ZXRE160AH5TA具有优良的热稳定性和抗冲击能力，最大结温可达+150°C，可在严苛环境下可靠运行。SOT-523封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备良好的散热性能，通过优化的引脚布局实现有效的热量传导。该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于绿色电子产品制造。在生产过程中，Diodes公司实施严格的品质控制流程，确保每批次产品的一致性和长期可靠性，广泛应用于工业、消费电子和通信领域。

ZXRE160AH5TA广泛应用于需要高效、紧凑电源管理解决方案的电子系统中。典型应用场景包括便携式设备中的负载开关，如智能手机和平板电脑的外设电源控制，用于在不需要时切断外围模块（如Wi-Fi模块、摄像头、传感器等）的供电以节省电量。此外，它也常用于电池供电系统的电源通断控制，作为高边开关来实现电池与主电路之间的连接与隔离，防止反向电流流动并提供过流保护功能。
　　在DC-DC转换器中，该器件可用于同步整流或作为上管开关元件，尤其适用于低电压输入（如5V或3.3V）的小功率降压变换器。由于其P沟道特性，无需复杂的自举电路即可实现高边驱动，简化了电源设计。ZXRE160AH5TA还可用于LED驱动电路中的开关控制，实现精确的亮度调节和节能运行。
　　在各类消费类电子产品中，如蓝牙耳机、智能手表、健康监测设备等可穿戴装置中，该MOSFET凭借其小尺寸封装和低静态功耗，成为理想的开关选择。此外，它也可用于USB端口的电源管理，实现热插拔保护和过载切断功能。在工业控制领域，该器件可用于传感器模块的电源门控，以降低待机功耗。总之，任何需要小型化、低功耗、高可靠性的P沟道MOSFET开关的应用，都是ZXRE160AH5TA的适用范围。

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　　 "ZXM61P02FTA",
　　 "DMG2301U",
　　 "AO8816",
　　 "FDD96P30",
　　 "SI2301"
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