型号：ZXRE160AET5TA
　　类型：P沟道
　　连续漏极电流（ID）：-600mA
　　漏源击穿电压（BVDSS）：-20V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-0.5V ~ -1.0V
　　导通电阻（RDS(on)）：450mΩ @ VGS = -4.5V；700mΩ @ VGS = -2.5V；1000mΩ @ VGS = -1.8V
　　输入电容（Ciss）：80pF
　　开启延迟时间（td(on)）：5ns
　　关断延迟时间（td(off)）：15ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOT-23 (SC-59)
　　功率耗散（PD）：300mW
　　通道数：单通道
　　极性：增强型

ZXRE160AET5TA采用了先进的TrenchFET沟槽技术，这种结构能够显著提升单位面积内的载流子迁移效率，从而实现更低的导通电阻和更高的开关速度。相较于传统的平面型MOSFET，TrenchFET结构通过垂直导电路径减少了寄生电阻，优化了RDS(on)与栅极电荷之间的平衡，使得器件在保持低静态功耗的同时具备出色的动态响应能力。该器件的阈值电压典型值仅为-0.7V左右，保证了即使在低电压控制系统中也能可靠地开启，例如由微控制器GPIO直接驱动时无需电平转换电路，降低了系统成本和布板难度。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。由于输入电容Ciss仅为80pF，且栅极电荷Qg非常低，因此在高频开关应用中可以有效降低驱动损耗，提升整体转换效率。这对于DC-DC转换器、同步整流或快速启停的负载开关尤为重要。同时，短的开启和关断延迟时间（分别为5ns和15ns）确保了精确的时间控制，避免了交叉导通或瞬态过冲现象的发生。
　　热稳定性方面，ZXRE160AET5TA具备高达+150°C的最大结温，支持在高温环境下长时间稳定运行。结合SOT-23封装良好的散热设计，即使在有限通风或密闭空间内也能维持正常工作。此外，该器件内置体二极管，具备一定的反向电流承载能力，在某些拓扑结构中可作为续流路径使用，但需注意其正向压降和恢复时间限制。
　　从可靠性角度看，产品经过严格的生产测试流程，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）及温度循环试验，确保长期使用的稳定性。同时符合JEDEC JS709A卤素含量标准，属于绿色器件，满足现代电子产品对环保材料的要求。

ZXRE160AET5TA常用于各类低压、小电流的电源开关与控制场景。在便携式电子设备中，它被广泛用作电池供电系统的负载开关，实现对外设模块如传感器、无线通信芯片或显示屏的上电/断电动作，以达到节能目的。当主控MCU检测到外设不需要工作时，可通过控制栅极为低电平来关闭该MOSFET，切断电源路径，防止不必要的待机功耗。
　　在电源反接保护电路中，该P沟道MOSFET可连接于电源输入端与系统主干之间，利用其源极接VIN、漏极接负载的配置方式，一旦发生电源极性接反，MOSFET将自动截止，从而保护后级电路不受损坏。相比使用二极管的传统方案，这种方法压降更小、效率更高，不会因正向导通损耗导致明显发热问题。
　　此外，该器件也适用于多电源选择电路，例如在主备电池切换或USB/VIN双输入供电系统中，作为理想二极管控制器的一部分，实现无缝电源切换功能。配合适当的偏置电阻网络，可以构建简单的优先级供电架构。
　　在DC-DC变换器特别是降压拓扑中，ZXRE160AET5TA有时也被用于低端同步整流或辅助开关元件，尤其是在输入电压较低（如3.3V或5V）的小功率转换器中表现良好。虽然其电流承载能力有限，但对于几百毫安级别的输出仍能满足需求。
　　其他应用场景还包括LED驱动开关、信号通路选择、热插拔控制以及各种需要电平隔离或电源域管理的嵌入式系统模块。凭借其小尺寸封装和高集成度特点，尤其适合高密度PCB布局设计。

DMG2302UK-7
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