时间：2025/12/26 9:44:25
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ZXRE060AFT4-7是一款由Diodes Incorporated生产的低电压、低功耗的P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），采用小型化的SOT-563（SC-88）封装，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件专为高效率电源管理与信号开关应用而设计，在电池供电系统中表现出优异的性能。ZXRE060AFT4-7具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度以及良好的热稳定性，能够在较小的封装尺寸内实现较高的电流处理能力。其栅极阈值电压较低，支持逻辑电平驱动，可直接由微控制器或数字信号源进行控制，无需额外的电平转换电路。该MOSFET在关断状态下具有极低的漏电流，有助于降低待机功耗，延长电池寿命。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适合用于消费类电子产品、便携式医疗设备、无线传感器网络和物联网终端等对可靠性和能效要求较高的应用场景。
型号：ZXRE060AFT4-7
制造商：Diodes Incorporated
器件类型：P沟道MOSFET
封装类型：SOT-563 (SC-88)
通道数：双通道
最大漏源电压(VDS)：-20V
最大栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：-180mA（单通道）
脉冲漏极电流(IDM)：-450mA（峰值）
导通电阻(RDS(on))：350mΩ（@ VGS = -4.5V, ID = -100mA）
导通电阻(RDS(on))：600mΩ（@ VGS = -2.5V, ID = -100mA）
栅极阈值电压(VGS(th))：-0.7V ~ -1.2V
输入电容(Ciss)：约90pF（@ VDS=10V）
开关时间：开启时间约15ns，关闭时间约25ns
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
ZXRE060AFT4-7的核心特性之一是其优化的低导通电阻与低栅极电荷的平衡设计，使其在小信号开关和负载切换应用中具备高能效优势。该器件在VGS = -4.5V时的RDS(on)仅为350mΩ，而在更低的驱动电压如-2.5V下仍能保持600mΩ的低阻状态，表明其对低压逻辑信号的良好响应能力，适用于3.3V或1.8V系统的直接驱动。
该MOSFET采用双通道P沟道结构，集成于SOT-563六引脚超小型封装中，极大节省PCB布局空间，特别适合智能手机、可穿戴设备、TWS耳机等高度集成的产品。每个通道均可独立控制，便于实现多路电源路径管理或信号选择功能。
器件具备出色的开关特性，输入电容低至约90pF，配合快速的开启与关闭时间（典型值分别为15ns和25ns），能够有效减少开关过程中的能量损耗，提升系统动态响应速度。同时，其栅极阈值电压范围为-0.7V至-1.2V，确保在不同工艺偏差下的稳定开启行为。
热性能方面，尽管封装体积小，但通过优化芯片布局和封装材料，ZXRE060AFT4-7可在高达+150°C的结温下安全运行，支持严苛环境下的长期可靠性。此外，器件内部集成了体二极管，可用于反向电流保护或续流路径，在某些DC-DC转换拓扑中发挥辅助作用。
该产品还通过AEC-Q101可靠性测试的部分项目评估（视具体批次而定），增强了其在工业级和汽车电子外围应用中的适用性。整体来看，ZXRE060AFT4-7是一款兼顾性能、尺寸与功耗的高性能P沟道MOSFET阵列，广泛用于现代低功耗电子系统的电源控制环节。
ZXRE060AFT4-7主要应用于需要高效能、小尺寸功率开关解决方案的场合。典型用途包括便携式电子设备中的负载开关，例如LCD偏压电源控制、摄像头模块供电管理、音频放大器启停控制等，利用其低静态电流和快速响应能力实现按需供电，从而降低整体系统功耗。
在电池管理系统中，该器件可用于电池反接保护或充放电路径切换，凭借其P沟道特性，简化了控制电路设计，避免使用复杂的电荷泵驱动方案。
此外，它也常被用作电平移位电路中的开关元件，或在I2C、SPI等通信总线的热插拔隔离中提供信号通断控制，防止数据冲突和总线挂起问题。
在电源多路复用（Power MUX）设计中，两个独立的P-MOSFET通道可用于选择主辅电源之间的无缝切换，如USB供电与电池供电之间的自动切换，保障系统持续运行。
其他应用场景还包括LED背光驱动的使能控制、传感器模块的上电时序管理、MCU外设的电源门控技术以及各类低功耗物联网节点中的节能开关电路。由于其符合绿色环保标准，亦适用于医疗健康类穿戴设备和智能家居传感终端。
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"ZXMN2F30FTA, Diodes Inc",
"DMG2302UK, Diodes Inc",
"FDN340P, ON Semiconductor",
"NSS40302MZ, onsemi",
"SI2301, Vishay"
]
