时间：2025/8/28 10:51:31
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ZXMS6001N3 是一款由 Diodes 公司（原 Zetex）生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型 SOT23（SOT-23）封装。该器件设计用于低电压、低功率应用，具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性。ZXMS6001N3 广泛应用于负载开关、电源管理、电池供电设备以及小型 DC-DC 转换器等领域。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：-1.2A（@25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大 120mΩ（@VGS = -4.5V）
阈值电压（VGS(th)）：-0.7V 至 -1.5V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOT23（SOT-23）
ZXMS6001N3 具备一系列适用于低功耗和小型化设计的特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下功耗较低，提高了系统的整体效率。其次，P 沟道结构使其适用于高边开关应用，如电源负载开关和电池管理系统。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（最大 ±8V），便于与多种控制电路兼容。SOT23 封装体积小巧，有助于节省 PCB 空间，适合便携式电子设备使用。ZXMS6001N3 还具有良好的热稳定性和快速的开关响应时间，有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。其工作温度范围宽，可在极端环境下稳定运行，适用于工业级和消费类应用。
在电气性能方面，ZXMS6001N3 在 -4.5V 栅极电压下 RDS(on) 最大为 120mΩ，能够支持最大 1.2A 的连续漏极电流。其阈值电压范围在 -0.7V 至 -1.5V 之间，确保了器件在较低电压下即可有效导通，适用于低功耗控制电路。该器件的漏源击穿电压为 -20V，具备一定的电压耐受能力，适用于 12V 及以下系统中的开关控制应用。
ZXMS6001N3 常用于各类低电压、低功耗电子系统中。典型应用包括电源管理中的负载开关、电池供电设备的电源控制、小型 DC-DC 转换器中的高边开关、便携式电子产品中的电压调节电路以及电机驱动或 LED 控制中的开关元件。此外，该器件也适用于需要高可靠性和紧凑设计的工业控制系统和消费类电子产品中。
Si2305DS, DMG2305UX, FDN304P
