时间：2025/12/26 8:49:45
阅读：17
ZXMP6A16KTC是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造，专为高效率和高性能的电源管理应用而设计。该器件封装在小型化的SOT563（SC-88）封装中，具有极低的导通电阻和优化的栅极电荷特性，适用于便携式电子设备中的负载开关、电池管理以及电源路径控制等场景。ZXMP6A16KTC能够在低栅极驱动电压下工作，支持逻辑电平信号直接驱动，因此非常适合用于由低压控制器（如微控制器或基带芯片）控制的开关电路中。其紧凑的封装形式使得它在空间受限的应用中极具优势，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他手持式电子产品。
该MOSFET的设计注重热性能与电气性能的平衡，在小尺寸封装下仍能提供良好的电流处理能力和热稳定性。此外，ZXMP6A16KTC符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性，经过严格的生产测试以确保批次一致性。由于其优异的开关特性和低静态功耗，该器件常被用于需要节能运行的电池供电系统中，作为主电源开关或背光驱动开关使用。
类型：P沟道
连续漏极电流（ID）：-1.6A
脉冲漏极电流（IDM）：-4.8A
漏源击穿电压（BVDSS）：-20V
栅源阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.4V
导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = -2.5V
导通电阻（RDS(on)）：60mΩ @ VGS = -1.8V
栅极电荷（Qg）：典型值5.5nC
输入电容（Ciss）：典型值270pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT563 (SC-88)
功率耗散（PD）：500mW
ZXMP6A16KTC采用先进的TrenchFET工艺技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，使其成为便携式电源管理系统中的理想选择。该器件的关键特性之一是其低阈值电压和宽泛的栅极驱动兼容性，能够在-1.8V至-4.5V的栅源电压范围内稳定工作，从而允许直接由低压逻辑信号驱动，无需额外的电平转换电路。这一特点显著简化了系统设计并降低了整体成本。同时，低RDS(on)特性减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的能效表现，尤其在持续导通或高频开关应用中效果更为明显。
另一个重要特性是其出色的热性能。尽管封装尺寸非常小巧（SOT563），但ZXMP6A16KTC通过优化芯片布局和封装材料，实现了较高的热导率和较低的结到环境热阻。这使得器件即使在有限散热条件下也能承受一定的功率负荷，适合高密度PCB布局环境。此外，该MOSFET具有较低的输入和输出电容，有助于减少开关过程中的动态损耗，提升高频响应能力，适用于需要快速开启和关闭操作的负载切换应用。
ZXMP6A16KTC还具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了其在实际应用中的鲁棒性。内部结构设计有效抑制了寄生双极晶体管的导通风险，防止二次击穿现象的发生。器件在制造过程中遵循严格的质量控制流程，确保长期使用的可靠性和稳定性。所有这些特性共同使ZXMP6A16KTC成为一个高性能、高集成度且高度可靠的P沟道MOSFET解决方案，广泛应用于现代低功耗电子系统中。
ZXMP6A16KTC主要用于各类便携式电子设备中的电源管理与开关控制功能。典型应用场景包括移动设备中的电池电源开关，用于控制主电源通断以实现节能待机模式或系统关机功能。由于其支持低电压驱动和低导通电阻，常被用作智能手表、无线耳机、健康监测设备等可穿戴产品中的负载开关，用于精确控制不同模块的供电时序，延长电池续航时间。此外，该器件也适用于DC-DC转换器中的同步整流或反向电流阻断电路，提升转换效率。
在接口电源管理方面，ZXMP6A16KTC可用于USB端口的电源开关，实现过流保护和热插拔控制，防止因外部设备接入引起的浪涌电流损坏主控芯片。它还可作为LED背光驱动电路中的开关元件，配合PWM调光信号实现亮度调节。在多电源域系统中，该MOSFET可用于电源域隔离，确保各模块独立上电复位，避免启动时序混乱导致的系统异常。工业级物联网终端、传感器节点和小型无线通信模块中也常见其身影，承担着关键的电源通断控制任务。凭借其小型化封装和高可靠性，ZXMP6A16KTC特别适合对空间和功耗敏感的应用场合。
ZXM61P02FCTC
ZXMS6A16FDKTC
FDMC8878
