时间：2022/9/28 15:12:33
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ZXMP6A13FTA是-60V P沟道增强型MOSFET具有无光泽镀锡引线。端子可以按照 MIL-STD-202 方法 208 进行焊接。该 MOSFET 采用独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，使其成为高效电源管理应用的理想选择。外壳由模制塑料 (UL94V-0) 制成。
ZXMP6A13FTA是-60V P沟道增强型MOSFET具有无光泽镀锡引线。端子可以按照 MIL-STD-202 方法 208 进行焊接。该 MOSFET 采用独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，使其成为高效电源管理应用的理想选择。外壳由模制塑料 (UL94V-0) 制成。
快速开关速度
低输入电容
低栅极电荷
完全无铅且完全符合RoHS标准(注释1和2)
无卤素和锑。“绿色”装置(注释3)
符合AEC-Q101高可靠性
PPAP标准(注释4)
旅游电压(DC)：-60.0 伏
旅行电流：-1.10 安
通道数：1
针脚数：3
漏源极点：400毫欧
魅力：P-通道
耗散功率：625 兆瓦
阈值电压：3伏
输入电容：219 pF
漏源极电压(Vds)：60伏
漏源击穿电压：60伏
栅源击穿电压：±20.0V
连续不断电流(Ids)：1.10 安
上升时间：2.2 纳秒
输入电容(Ciss)：219pF @30V(Vds)
攻击功率(Max)：625 兆瓦
下降时间：5.7 纳秒
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：806 兆瓦
安装方式：表面贴装
面对数：3
封装：SOT-23-3
长度：3.04 毫米
横：1.4 毫米
高度：1.02 毫米
