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ZXMP3F37N8TA 发布时间 时间:2025/6/5 20:57:12 查看 阅读:9

ZXMP3F37N8TA 是一款基于先进的 MOS 工艺制造的 N 沟道增强型功率场效应晶体管 (MOSFET)。该器件适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等。其优化的设计提供了卓越的性能,同时支持高频操作,以满足现代电子设备对紧凑性和效率的需求。
  该器件采用小型化封装技术,具备高可靠性及优异的热特性,能够在广泛的温度范围内稳定运行。

参数

最大漏源电压(VDS):40V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):10A
  导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ(在 VGS=10V 时)
  总栅极电荷(Qg):22nC
  输入电容(Ciss):1200pF
  输出电容(Coss):190pF
  反向传输电容(Crss):65pF
  结温范围(TJ):-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻 RDS(on),有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用。
  3. 小型封装设计,节省电路板空间。
  4. 优良的热稳定性,能够承受高温工作环境。
  5. 具备较强的雪崩能力和抗静电能力(ESD),提高了系统的可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电池管理系统(BMS) 中的负载开关。
  3. 各类电机驱动电路。
  4. LED 照明驱动中的电流控制。
  5. 数据通信设备中的信号切换。
  6. 便携式电子产品中的电源管理模块。

替代型号

IRF3708PBF, FDP016N04L, AON7505

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ZXMP3F37N8TA参数

  • 制造商Diodes Inc.
  • 封装Reel