时间：2025/6/5 20:57:12
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ZXMP3F37N8TA 是一款基于先进的 MOS 工艺制造的 N 沟道增强型功率场效应晶体管 (MOSFET)。该器件适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等。其优化的设计提供了卓越的性能，同时支持高频操作，以满足现代电子设备对紧凑性和效率的需求。
该器件采用小型化封装技术，具备高可靠性及优异的热特性，能够在广泛的温度范围内稳定运行。
最大漏源电压(VDS)：40V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：10A
导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ（在 VGS=10V 时）
总栅极电荷(Qg)：22nC
输入电容(Ciss)：1200pF
输出电容(Coss)：190pF
反向传输电容(Crss)：65pF
结温范围(TJ)：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用。
3. 小型封装设计，节省电路板空间。
4. 优良的热稳定性，能够承受高温工作环境。
5. 具备较强的雪崩能力和抗静电能力(ESD)，提高了系统的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池管理系统(BMS) 中的负载开关。
3. 各类电机驱动电路。
4. LED 照明驱动中的电流控制。
5. 数据通信设备中的信号切换。
6. 便携式电子产品中的电源管理模块。
IRF3708PBF, FDP016N04L, AON7505
