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ZXMP3F36N8TA 发布时间 时间:2025/6/4 0:57:15 查看 阅读:7

ZXMP3F36N8TA 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动和各种功率转换场景中。其封装形式为 TO-252(DPAK),适合表面贴装工艺,从而提高了电路板空间利用率和可靠性。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  耐压:30V
  导通电阻:3.6mΩ(典型值)
  连续漏极电流:80A(@25°C)
  栅极电荷:11nC(典型值)
  总电容:190pF(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装:TO-252(DPAK)

特性

ZXMP3F36N8TA 提供了极低的导通电阻,能够显著降低传导损耗,提高系统效率。
  它还具备快速开关能力,可有效减少开关损耗,适用于高频应用场景。
  此外,该器件采用了坚固的结构设计,具备出色的耐用性和可靠性,能够承受恶劣的工作条件。
  其较高的电流承载能力和宽广的工作温度范围使其成为高功率密度应用的理想选择。
  同时,ZXMP3F36N8TA 的小型化封装也极大地简化了 PCB 设计和生产流程。

应用

该器件主要应用于 DC/DC 转换器、开关电源(SMPS)、电池管理系统(BMS)、电机驱动器以及工业控制领域。
  在这些应用中,ZXMP3F36N8TA 可以提供高效的功率处理能力,并确保系统的稳定性和可靠性。
  此外,它也非常适合汽车电子中的负载开关和保护电路等用途。

替代型号

IRF3710TRPBF
  STP80NF06L
  FDP17N30E

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ZXMP3F36N8TA参数

  • 制造商Diodes Inc.
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压- 30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流9.6 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.02 Ohms
  • 配置Dual
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SO-8
  • 封装Reel
  • 下降时间40 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2.8 W
  • 上升时间5 ns
  • 工厂包装数量3000
  • 典型关闭延迟时间75 ns