时间：2025/5/10 14:28:19
阅读：3
ZXMP3F35N8TC 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TOLL 封装。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关性能，适用于高效率、高密度的电源转换应用。其设计优化了散热性能，并在高频工作条件下提供出色的效率表现。
最大漏源电压：350V
连续漏极电流：8A
导通电阻：270mΩ
栅极电荷：16nC
总热阻（结到壳）：42°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
ZXMP3F35N8TC 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关能力，减少开关损耗并支持高频操作。
3. 高雪崩能量能力，提升了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 紧凑且高效的 TOLL 封装，具备卓越的散热性能和易于 PCB 布局的特点。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的初级开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动和逆变器电路。
4. 电池保护和负载切换电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 太阳能微逆变器和其他新能源相关应用。
ZXMP3F35N8TQ, IRF840, STP36NF06
