时间：2025/12/26 10:17:37
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ZXMP3A17DN8TA是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有高可靠性与优异的电气性能。该器件专为中低功率开关应用设计，适用于电源管理、负载切换、电池供电设备以及各种便携式电子产品中的电源控制场景。其封装形式为SOT-23（SC-70），属于小型表面贴装封装，适合对空间要求严格的PCB布局。ZXMP3A17DN8TA在低栅极驱动电压下仍能实现较低的导通电阻，使其非常适合用于3.3V或更低电压系统中作为开关元件。该MOSFET具备良好的热稳定性与抗静电能力，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，满足工业级和消费类电子产品的严苛需求。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，广泛应用于现代电子设备中。
作为一款通用型P沟道MOSFET，ZXMP3A17DN8TA在电路设计中常被用于替代传统双极性晶体管以提高效率并降低功耗。其主要优势在于简化了驱动电路的设计，因为P沟道器件可以在高端开关配置中更容易地实现电压控制。同时，由于其快速的开关响应时间，有助于提升系统的动态响应能力，减少开关损耗。该器件还具备一定的雪崩能量承受能力，在非理想工作条件下仍能提供一定程度的保护，增强了整体系统的鲁棒性。
型号：ZXMP3A17DN8TA
类型：P沟道MOSFET
封装：SOT-23 (SC-70)
连续漏极电流（ID）：-1.7A
漏源击穿电压（V(BR)DSS）：-20V
栅源阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
导通电阻（RDS(on)）：@ VGS = -4.5V: 95mΩ max；@ VGS = -2.5V: 130mΩ max；@ VGS = -1.8V: 200mΩ max
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大栅源电压（VGSS）：±12V
功耗（PD）：300mW
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
输入电容（Ciss）：约85pF @ VDS=10V, f=1MHz
开关时间（开启/关闭）：典型值数十纳秒级别
反向恢复时间（trr）：无体二极管参与主导时小于10ns
ZXMP3A17DN8TA采用先进的沟槽场效应技术，优化了载流子迁移路径，从而显著降低了导通电阻RDS(on)，即使在低栅极驱动电压如-1.8V或-2.5V条件下也能保持出色的导通性能。这一特性使得它非常适合应用于由锂电池供电的便携式设备中，例如智能手机、可穿戴设备、无线传感器节点等，这些系统通常依赖于3.3V甚至更低的逻辑电平进行控制。其在-4.5V下的最大RDS(on)仅为95mΩ，而在-2.5V时仍能维持在130mΩ以下，这表明该器件在轻载或电压波动情况下依然具备高效能表现，有效减少了功率损耗和发热问题。
该器件具有较宽的安全工作区（SOA），能够承受瞬态过流和短时过压冲击，提高了系统在异常工况下的生存能力。同时，其内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，虽然不如专门的快恢复二极管，但在多数同步整流或感性负载关断场景中已足够使用，避免了额外增加外部二极管的成本与复杂度。此外，ZXMP3A17DN8TA的栅极电荷（Qg）较低，意味着驱动电路所需提供的电荷量小，有利于降低驱动功耗并加快开关速度，特别适用于高频开关电源或PWM控制场合。
热性能方面，尽管SOT-23封装尺寸小巧，但通过合理的PCB布局（如添加散热焊盘连接地平面）可以有效提升其散热能力，使其在实际应用中达到接近额定功率的运行状态。器件的结至环境热阻（RθJA）约为416°C/W，因此在高功率密度设计中需注意散热管理。其工作结温范围覆盖-55°C至+150°C，确保在极端高低温环境下仍能可靠工作，适用于工业控制、汽车电子外围模块及户外设备等应用场景。
静电放电（ESD）防护方面，ZXMP3A17DN8TA具备一定的栅氧化层保护机制，能够承受一定水平的人体模型（HBM）ESD事件，减少因操作不当导致的器件损坏风险。整体而言，该MOSFET以其小尺寸、高性能和高可靠性，成为众多低压电源开关设计中的优选方案之一。
主要用于便携式电子设备中的电源开关控制，如移动电话、平板电脑、蓝牙耳机、智能手表等；
适用于电池供电系统的负载切换与反向电流阻断；
可用于DC-DC转换器中的高端或低端开关元件，特别是在PFC或同步整流拓扑中；
作为逻辑电平接口驱动器，用于微控制器输出信号驱动继电器、LED或其他负载；
在热插拔电路或电源多路复用器中实现软启动与浪涌电流限制；
广泛应用于消费类电子产品、工业自动化模块、通信设备接口保护等领域；
适合用于需要低静态功耗与高集成度的嵌入式系统设计中。
ZXMN3A17DN8TA
FMMT718
DMG2301U
AO3401A
Si2301DS
