时间：2025/12/26 8:55:25
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ZXMP3A16N8TA是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有优良的性能和高可靠性。该器件专为在低电压和中等电流应用中提供高效的开关功能而设计，适用于多种便携式电子设备和电源管理电路。其封装形式为TSOP-6（也称SOT457），体积小巧，适合空间受限的应用场景，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及其他消费类电子产品中的负载开关、电源路径管理和电池保护电路。
ZXMP3A16N8TA的工作条件符合工业标准，具备良好的热稳定性和电气稳定性。它支持逻辑电平驱动，可以直接由3.3V或5V逻辑信号控制，简化了与微控制器或其他数字电路的接口设计。此外，该MOSFET具有低栅极电荷和低输出电容，有助于减少开关损耗并提高系统效率，在高频开关应用中表现出色。
这款器件在制造过程中遵循RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，符合现代电子产品对绿色环保的要求。其可靠的封装工艺确保了在自动化贴片生产过程中的良好焊接性能和长期运行的稳定性，是中小功率开关应用中的理想选择之一。
类型：P沟道
漏源电压(VDSS)：-20V
连续漏极电流(ID)：-1.6A
脉冲漏极电流(ID_pulse)：-4A
栅源电压(VGS)：±12V
导通电阻(RDS(on))：最大65mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻(RDS(on))：最大85mΩ @ VGS = -2.5V
阈值电压(Vth)：典型值-1V，范围-0.4V ~ -1.5V
输入电容(Ciss)：约400pF @ VDS=10V
开关时间(上升/下降)：数十纳秒级别
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：TSOP-6 (SOT457)
