时间：2025/12/26 3:45:56
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ZXMP10A17E6TA是一款由智芯半导体（ZXMicro）推出的高性能、低功耗P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（P-Channel MOSFET），采用先进的沟槽型工艺技术制造，专为高效率电源管理应用设计。该器件广泛应用于便携式电子设备、电池管理系统、负载开关、DC-DC转换器以及各类电源开关控制电路中。ZXMP10A17E6TA以其小尺寸封装和优异的电气特性，满足现代电子产品对小型化、高集成度和高可靠性的需求。其SOT-23（SC-59）封装形式便于在空间受限的PCB布局中使用，同时具备良好的热稳定性和电气性能，适合在工业级温度范围内稳定工作。该MOSFET在关断状态下能有效阻断电流，在导通状态下则提供较低的导通电阻，从而减少功率损耗，提升系统整体能效。
型号：ZXMP10A17E6TA
极性：P-Channel
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-1.7A
脉冲漏极电流（IDM）：-4.5A
导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = -2.5V
阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
输入电容（Ciss）：350pF @ VDS=10V
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23 (SC-59)
安装类型：表面贴装（SMD）
ZXMP10A17E6TA采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备出色的导通特性和开关性能。其最大漏源电压为-20V，适用于低电压电源管理系统，如3.3V或5V供电轨道的开关控制。器件在-4.5V栅极驱动电压下可实现低至35mΩ的导通电阻，显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。即使在较低的栅极驱动电压（如-2.5V）下，其RDS(on)也仅为45mΩ，确保在逻辑电平驱动条件下仍能保持良好性能，兼容多种控制器输出电平。
该器件具有快速开关响应能力，输入电容典型值为350pF，有助于减少开关延迟和动态损耗，适用于高频开关应用。其阈值电压范围为-0.8V至-1.5V，确保在正常工作条件下可靠开启与关断，避免因噪声干扰导致误触发。ZXMP10A17E6TA具备优良的热稳定性，采用SOT-23封装，散热性能良好，能够在-55°C至+150°C的结温范围内长期稳定运行，适用于工业、消费类及便携式电子设备。
此外，该MOSFET具有较高的抗浪涌电流能力，脉冲漏极电流可达-4.5A，增强了在瞬态负载条件下的可靠性。器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适合绿色电子产品设计。其小型化封装不仅节省PCB空间，还简化了布局布线，提升了系统集成度。总体而言，ZXMP10A17E6TA是一款高性价比、高可靠性的P沟道MOSFET，适用于各类低压开关和电源管理场景。
ZXMP10A17E6TA广泛应用于多种低压电源管理与开关控制场合。常见用途包括便携式电子设备中的电池供电切换，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电源路径管理。在这些应用中，该器件可用于控制主电源与备用电源之间的切换，或在系统休眠时切断外设供电以降低待机功耗。
此外，它也适用于DC-DC转换器的同步整流或高端开关配置，特别是在负压生成电路或反激式电源中作为控制开关使用。由于其低导通电阻和快速响应特性，ZXMP10A17E6TA在高效降压变换器中表现出色，有助于提升转换效率并减少发热。
在电机驱动、继电器驱动和LED驱动电路中，该MOSFET可作为开关元件用于控制电流通断。其SOT-23封装便于在高密度PCB上安装，适合自动化贴片生产。工业控制模块、传感器供电管理、USB电源开关等也是其典型应用场景。得益于宽泛的工作温度范围和高可靠性，该器件同样适用于工业环境下的嵌入式系统和通信设备电源管理。
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"ZXM61P02E6TA",
"DMG2301U",
"AO3401A",
"Si2301DS",
"FDD8424P"
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