时间：2025/12/26 8:48:53
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ZXMP10A13FQTA是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术制造，旨在实现极低的导通电阻（RDS(on)）和高效率的功率开关性能。该器件通常用于需要高电流密度和低功耗的应用场景中，例如电源管理、负载开关、电池供电设备以及DC-DC转换器等。其封装形式为SOT-23（Small Outline Transistor），是一种小型表面贴装封装，适合在空间受限的印刷电路板上使用。由于其良好的热稳定性和电气特性，ZXMP10A13FQTA广泛应用于便携式电子设备、智能手机、平板电脑、物联网设备以及其他消费类电子产品中。该MOSFET具备静电放电（ESD）保护功能，提高了器件在实际操作和组装过程中的可靠性。此外，它符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代电子制造工艺中的回流焊流程。
类型：P沟道
极性：增强型
漏源电压(VDS)：-20V
栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：-1.3A
脉冲漏极电流(IDM)：-3.9A
导通电阻(RDS(on))：最大450mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻(RDS(on))：最大650mΩ @ VGS = -2.5V
阈值电压(VGS(th))：典型值-1.0V，范围-0.6V ~ -1.5V
输入电容(Ciss)：约220pF @ VDS=10V, VGS=0V
输出电容(Coss)：约170pF @ VDS=10V, VGS=0V
反向传输电容(Crss)：约40pF @ VDS=10V, VGS=0V
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
封装/封装形式：SOT-23
安装类型：表面贴装
通道数：单通道
ZXMP10A13FQTA采用先进的沟槽MOSFET工艺，这种结构通过在硅片表面刻蚀出垂直沟道来增加单位面积内的导电通道数量，从而显著降低导通电阻并提升电流承载能力。该器件的RDS(on)在VGS = -4.5V时最大仅为450mΩ，在VGS = -2.5V时也控制在650mΩ以内，表现出优异的低电压驱动能力，特别适合用于3.3V或更低逻辑电平控制的系统中。这使得它能够在电池供电设备中有效减少能量损耗，延长续航时间。
该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于加快开关速度，降低开关损耗，提高整体电源转换效率。同时，其较小的封装尺寸SOT-23不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提升了制造效率与良率。此外，器件内部集成了体二极管，可用于防止反向电流流动，在负载开关应用中提供必要的保护机制。
ZXMP10A13FQTA具备良好的热稳定性，其最大工作结温可达+150°C，确保在高温环境下仍能可靠运行。同时，该器件对静电敏感度进行了优化设计，具备一定的ESD耐受能力，增强了在装配和运输过程中的鲁棒性。所有这些特性使其成为中小功率开关应用的理想选择，尤其是在追求小型化、高能效和高集成度的设计中表现出色。
ZXMP10A13FQTA常用于各类低压直流电源管理系统中，作为负载开关或高端开关使用，控制电源路径的通断，防止浪涌电流影响系统稳定性。在便携式电子设备如智能手机、可穿戴设备和蓝牙耳机中，它被广泛用于电池与主控芯片之间的电源切换，实现低功耗待机模式下的电源隔离。此外，该器件也适用于DC-DC降压或升压转换器中的同步整流部分，替代传统肖特基二极管以提高转换效率。
在工业控制和通信模块中，ZXMP10A13FQTA可用于信号电平转换电路或接口保护电路，利用其快速响应特性和低导通压降优势，确保数据传输的完整性与可靠性。它还可作为电机驱动、LED驱动或传感器供电电路中的开关元件，提供精确的电源控制。由于其符合RoHS标准且不含卤素，满足现代电子产品环保要求，因此也被大量应用于绿色节能产品设计中。无论是消费类电子还是工业级设备，只要涉及小功率P沟道MOSFET的应用场景，ZXMP10A13FQTA都是一个可靠且性价比高的解决方案。
[
"ZXMN10A13F",
"FDMS7682",
"AO3415",
"Si2301DS",
"FDMC8628"
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