时间：2025/5/22 12:51:55
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ZXMN6A25N8 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用 DPAK 封装（TO-252），具有低导通电阻和高效率的特性，适合需要高性能功率管理的应用场景。
这款 MOSFET 的设计旨在减少系统损耗，同时提高功率密度和可靠性，因此在消费电子、工业控制以及通信设备中得到了广泛应用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：31A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：19nC
输入电容：1740pF
总热阻（结到环境）：40°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
ZXMN6A25N8 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低导通损耗。
2. 高电流处理能力，支持高达 31A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷和输入电容。
4. 宽工作温度范围，从 -55°C 到 +175°C，确保在极端环境下仍能可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电路设计中。
6. 高雪崩能量能力，增强了器件的耐用性和鲁棒性。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
3. 电机驱动应用中的半桥或全桥配置。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统（BMS）。
ZXMN6A28N8, IRFZ44N, FDP55N20
