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ZXMN6A25K 发布时间 时间:2025/12/26 11:26:46 查看 阅读:18

ZXMN6A25K是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理、开关电路和负载控制等场景。该器件采用先进的TrenchFET技术制造,具备低导通电阻、高开关速度和优良的热性能等特点。ZXMN6A25K封装于SOT-23(小外形晶体管)封装中,具有紧凑的尺寸,适合在空间受限的应用中使用,例如便携式电子设备、电池供电系统以及各种消费类电子产品。该MOSFET设计用于在低电压逻辑控制下实现高效的功率切换,支持与微控制器或其他数字信号源直接接口,无需额外的驱动电路。其额定漏源电压为25V,连续漏极电流可达6A,适用于中等功率级别的应用场合。由于其出色的电气特性和可靠性,ZXMN6A25K常被用作开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动、LED驱动及热插拔电源控制中的关键元件。此外,该器件符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,满足现代电子产品对环境友好材料的要求。ZXMN6A25K在批量生产中表现出良好的一致性和稳定性,是许多工业、通信和消费电子设计中的优选MOSFET之一。
  该器件的关键优势在于其低栅极电荷和低输入电容,使其能够在高频开关条件下保持较低的驱动损耗,从而提升整体系统效率。同时,其快速的开关响应时间有助于减少开关过程中的能量损耗,进一步优化能效表现。ZXMN6A25K的工作结温范围通常为-55°C至+150°C,确保其在严苛环境条件下仍能稳定运行。制造商提供了完整的数据手册和技术支持文档,包括详细的电气特性曲线、热阻参数、安全工作区(SOA)图以及推荐的PCB布局指南,帮助工程师进行可靠的设计导入和热管理规划。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):25V
  最大栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):6A @ 25°C
  脉冲漏极电流(Idm):24A
  导通电阻(Rds(on)):22mΩ @ Vgs=10V
  导通电阻(Rds(on)):28mΩ @ Vgs=4.5V
  阈值电压(Vgs(th)):1.0V ~ 1.8V
  栅极电荷(Qg):12nC @ Vgs=10V
  输入电容(Ciss):500pF @ Vds=10V
  开启延迟时间(td(on)):10ns
  关断延迟时间(td(off)):25ns
  反向恢复时间(trr):20ns
  工作结温范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

ZXMN6A25K的最显著特性之一是其采用先进的TrenchFET工艺技术,这种结构通过优化沟道布局和掺杂分布,实现了极低的导通电阻(Rds(on)),从而大幅降低了导通状态下的功率损耗。在Vgs=10V时,其典型Rds(on)仅为22mΩ,在4.5V驱动电压下也能维持在28mΩ左右,这使得它非常适合用于需要高效能量转换的应用,如电池供电设备或高密度电源模块。低Rds(on)不仅提升了效率,还减少了发热,有助于简化散热设计并提高系统可靠性。
  另一个重要特性是其优异的开关性能。得益于较小的栅极电荷(Qg=12nC)和输入电容(Ciss=500pF),ZXMN6A25K能够以极快的速度进行开关操作,开启延迟时间约为10ns,关断延迟时间为25ns。这一特性使其在高频开关电源(如DC-DC转换器)中表现出色,能够有效降低开关损耗,提升整体能效。同时,较短的反向恢复时间(trr=20ns)也减少了体二极管在续流过程中的能量损失,避免了不必要的热量积累,提高了系统的动态响应能力。
  ZXMN6A25K还具备良好的热稳定性和宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),可在恶劣环境条件下稳定运行。其SOT-23封装虽然体积小巧,但经过优化的引脚设计和内部连接结构,确保了足够的电流承载能力和热传导路径。此外,该器件具有较高的抗静电能力(ESD保护)和稳健的栅氧化层设计,能够在实际装配和运行过程中抵抗瞬态过压冲击,增强了长期使用的安全性。综合来看,ZXMN6A25K凭借其低导通电阻、快速开关响应、良好热性能和高可靠性,成为众多中小功率开关应用的理想选择。

应用

ZXMN6A25K广泛应用于多种电子系统中,尤其适用于对空间和能效有较高要求的场合。在便携式电子设备中,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和移动电源,它常被用作负载开关或电池充放电控制开关,利用其低导通电阻来最小化电压降和功耗,延长电池续航时间。在这些应用中,MOSFET作为电子开关替代机械继电器,提供更快的响应速度和更长的使用寿命。
  在电源管理系统中,ZXMN6A25K可用于同步整流型DC-DC降压或升压转换器中,作为主开关或同步整流管,配合控制器实现高效的电压变换。其快速的开关特性有助于提升转换效率,尤其是在轻载和中等负载条件下表现优异。此外,该器件也适用于低压差线性稳压器(LDO)的旁路开关或热插拔电源控制电路,防止上电瞬间的浪涌电流损坏后级电路。
  在电机驱动和LED照明领域,ZXMN6A25K可用于小型直流电机的启停控制或调速驱动,以及LED背光或指示灯的恒流驱动开关。由于其支持逻辑电平驱动(4.5V即可充分导通),可以直接由微控制器GPIO引脚控制,无需额外的电平转换或驱动芯片,简化了电路设计。工业自动化传感器模块、USB电源开关、智能电表和IoT终端设备中也常见其身影,承担着电源通断、信号切换或故障保护等功能。总之,ZXMN6A25K凭借其高性能和小封装,已成为现代电子设计中不可或缺的功率开关元件之一。

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ZXMN6A25K参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 3.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20.4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1063pF @ 30V
  • 功率 - 最大2.11W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMN6A25KTR