时间：2025/6/18 9:38:47
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ZXMN6A25DN8TA 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用PDFN8封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用。其设计旨在提供高效的性能以及出色的热稳定性，使其成为驱动电机、DC-DC转换器、负载开关以及其他功率管理电路的理想选择。
该芯片的工作电压范围宽广，并且具备极佳的电气特性和可靠性，可有效降低功耗并提升系统的整体效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：18A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：27nC
输入电容：1920pF
工作结温范围：-55℃ to 175℃
ZXMN6A25DN8TA 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高度优化的栅极电荷设计降低了开关损耗，提升了高频应用中的表现。
3. 小型PDFN8封装有助于节省PCB空间，同时提供优良的散热性能。
4. 超宽的工作结温范围 (-55°C 至 +175°C) 确保了在极端温度环境下的可靠运行。
5. 内置ESD保护增强了器件的抗静电能力，提高了制造过程中的鲁棒性。
6. 符合RoHS标准，支持环保要求。
这款MOSFET广泛应用于需要高效功率控制的场景中，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 汽车电子系统，如电池管理系统 (BMS) 和车载充电器。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 通信设备中的功率调节模块。
由于其卓越的性能和可靠性，ZXMN6A25DN8TA 成为许多高性能功率应用的首选解决方案。
ZXMN6A22DN8TA, ZXMN6A28DN8TA
