时间：2025/5/28 14:00:01
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ZXMN4A06KTC 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，适用于各种电源管理应用。它通常被用作功率开关或负载驱动器，在设计中提供高效的电子开关功能。
该芯片采用 SOT23-3 封装形式，体积小巧且易于集成到紧凑型电路设计中。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻：150mΩ
栅极阈值电压：1V 至 2.5V
总功耗：410mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT23-3
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 高静电放电 (ESD) 耐受能力，增强可靠性。
4. 小尺寸封装，适合空间受限的设计。
5. 宽工作温度范围，适应多种环境条件。
6. 支持低至 1V 的栅极驱动电压，便于与低电压逻辑电路配合使用。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 电机驱动和控制。
4. 信号切换和保护电路。
5. 手机、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理。
6. LED 照明驱动器。
AO3400A
IRLML6401
FDS6670
BSS138
