时间：2025/6/13 10:38:30
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ZXMN3F30FH 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-263 封装形式，适用于多种功率转换和开关应用。其设计旨在提供低导通电阻和高效率的性能，适合在汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中使用。
这款 MOSFET 的额定电压为 30V，能够满足大多数低压系统的需求，同时具备快速开关能力和良好的热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：34A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：4.5mΩ
栅极电荷：89nC
开关时间：ton=7ns，toff=18ns
工作结温范围：-55℃ to +175℃
ZXMN3F30FH 具有以下主要特性：
1. 高效的低导通电阻设计，减少功率损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度，有助于降低开关损耗，特别适合高频开关应用。
3. 良好的热稳定性，支持长时间稳定运行。
4. 符合 AEC-Q101 标准，确保在恶劣环境下也能可靠工作。
5. 可靠的短路耐受能力，增强了器件的安全性。
6. 小型封装（TO-263），节省电路板空间。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和逆变器应用中的功率级开关。
3. 汽车电子设备中的负载切换和保护电路。
4. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
5. LED 照明系统的驱动电路。
6. 各种消费类电子产品中的电池充电管理。
ZXMN3F30HFA, IRF3205, FDP55N06L
