型号：ZXMN3B04N8TC
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：DFN2020-8L
　　通道数：单通道
　　击穿电压V(BR)DSS：40V
　　最大漏源电压VDS：40V
　　最大栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：5.1A
　　脉冲漏极电流IDM：20A
　　导通电阻RDS(on)（@VGS=4.5V）：22mΩ
　　导通电阻RDS(on)（@VGS=2.5V）：30mΩ
　　阈值电压VGS(th)：1.0V（典型值）
　　输入电容Ciss：550pF
　　输出电容Coss：190pF
　　反向传输电容Crss：50pF
　　栅极电荷Qg（@4.5V）：6.5nC
　　功耗PD：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

ZXMN3B04N8TC采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，具备出色的导通特性和开关响应能力。其核心优势之一在于低导通电阻RDS(on)，在VGS=4.5V时仅为22mΩ，这显著减少了在导通状态下的功率损耗，提升了系统的能量利用效率。这一特性使其非常适合用于电池供电设备或对能效要求较高的应用中，如移动电源、智能穿戴设备和便携式医疗仪器等。此外，即使在较低的栅极驱动电压下（例如2.5V），其RDS(on)仍保持在30mΩ左右，表明该器件对低电压逻辑信号具有良好兼容性，可直接由3.3V或2.5V微控制器IO口驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　该器件的栅极电荷Qg仅为6.5nC（在4.5V条件下测量），意味着其在高频开关应用中能够快速开启和关断，有效降低开关过程中的动态损耗。这对于诸如同步整流、DC-DC降压变换器等高频操作场景尤为重要。同时，输入电容Ciss为550pF，输出电容Coss为190pF，这些较小的寄生电容也有助于减少驱动电路的负担并提升整体响应速度。ZXMN3B04N8TC还具有较低的反向传输电容Crss（50pF），有助于抑制噪声耦合，提高电路稳定性，尤其是在高dv/dt环境下表现出更强的抗干扰能力。
　　DFN2020-8L封装不仅体积小巧（2mm x 2mm），而且底部带有裸露焊盘，可通过PCB散热焊盘实现高效热传导，从而提升器件的热稳定性与长期可靠性。这种封装形式支持高密度贴装，满足现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。此外，该MOSFET的工作结温范围可达+150°C，确保其在高温环境下仍能稳定运行。综合来看，ZXMN3B04N8TC凭借其低RDS(on)、快速开关、小封装、良好热性能和宽工作温度范围，在各类中低功率开关应用中展现出卓越的技术优势。

ZXMN3B04N8TC广泛应用于多种需要高效功率切换的电子系统中。其主要用途包括但不限于便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机中的电池充放电控制与负载开关电路。在此类应用中，该MOSFET可用于实现电源路径管理，确保主电源与备用电源之间的无缝切换，同时防止反向电流流动，保护敏感组件。
　　在DC-DC转换器特别是同步降压（Buck）拓扑结构中，ZXMN3B04N8TC常被用作低边同步整流开关，替代传统的肖特基二极管以减少导通损耗，从而显著提升转换效率。由于其低栅极电荷和快速开关特性，该器件特别适合工作频率较高的开关电源设计，有助于减小外围滤波元件的尺寸，进而缩小整体电源模块的体积。
　　此外，该MOSFET也适用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，作为四个桥臂中的开关元件之一，能够精确控制电机的正反转与启停。其40V耐压等级足以覆盖大多数低压电机系统（如12V或24V系统）的需求。
　　在工业控制系统中，ZXMN3B04N8TC可用于继电器替代、LED驱动、热插拔控制器以及各种数字I/O扩展模块中的固态开关功能。由于其封装支持自动回流焊接，因此非常适合大规模自动化生产，广泛应用于智能家居设备、物联网终端节点、传感器模块和嵌入式控制板卡等领域。总之，该器件凭借其高性能与高可靠性，已成为众多中低功率开关应用中的关键元器件之一。

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　　 "ZXMN3A04E8TA",
　　 "DMG2302U",
　　 "SI2302ADS",
　　 "FDD8858",
　　 "IPD912N04LG"
　　]