时间：2025/12/26 9:09:38
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ZXMN3B04N8TA是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽栅极技术制造，具有低导通电阻和高开关效率的特点。该器件专为高密度电源应用设计，适用于需要高效能、小尺寸封装的场合。ZXMN3B04N8TA采用SOT-563（也称TSOP-6）超小型表面贴装封装，占用PCB面积极小，非常适合便携式电子设备中的空间受限设计。其额定电压为30V，最大连续漏极电流可达2.7A（在良好散热条件下），可广泛用于电源管理、负载开关、电池供电系统以及DC-DC转换器等场景。该MOSFET具备良好的热稳定性与可靠性，符合RoHS环保要求，并通过了无卤素（Halogen-free）认证，适合现代绿色电子产品生产标准。由于其优异的性能参数和紧凑封装，ZXMN3B04N8TA常被用于智能手机、平板电脑、无线模块、LED驱动电路及各类低功耗嵌入式系统中作为开关元件使用。
型号：ZXMN3B04N8TA
类型：N沟道MOSFET
封装：SOT-563 (TSOP-6)
通道数：双通道
漏源电压(VDSS)：30V
栅源电压(VGSS)：±20V
连续漏极电流(ID)@25°C：2.7A
脉冲漏极电流(IDM)：8.1A
导通电阻(RDS(on))@4.5V VGS：115mΩ @ 每通道
导通电阻(RDS(on))@2.5V VGS：145mΩ @ 每通道
导通电阻(RDS(on))@1.8V VGS：220mΩ @ 每通道
阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 1.8V
输入电容(Ciss)：典型值 330pF
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
热阻结到环境(θJA)：典型值 350°C/W
热阻结到外壳(θJC)：典型值 95°C/W
ZXMN3B04N8TA采用先进的沟槽栅极MOSFET工艺，具备卓越的电气性能与热稳定性，特别适用于对空间和能效有严格要求的应用场景。其核心优势在于低导通电阻，在VGS=4.5V时RDS(on)仅为115mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。即使在较低的栅极驱动电压下（如1.8V或2.5V），该器件仍能保持相对较低的导通电阻，使其兼容于现代低压逻辑控制信号，例如来自微控制器或电源管理IC的输出信号。
该器件为双通道N沟道结构，两个独立MOSFET集成于同一封装内，有助于减少PCB布局面积并简化多路开关设计。每个通道均可独立操作，支持并联使用以进一步降低等效导通电阻。器件具有快速开关响应能力，输入电容Ciss典型值为330pF，确保在高频开关应用中实现低动态损耗，适用于DC-DC转换器、同步整流等高频电源拓扑。
ZXMN3B04N8TA的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，可在严苛环境下稳定运行。其热阻参数经过优化设计，θJA约为350°C/W，配合适当的PCB铜箔散热设计可有效提升功率处理能力。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和过压保护特性，栅氧化层可承受±20V的栅源电压，增强了系统鲁棒性。
该MOSFET符合工业级可靠性标准，通过AEC-Q101应力测试认证（视具体批次而定），适用于汽车电子辅助系统。同时满足无铅、无卤素要求，符合欧盟RoHS指令，适合自动化回流焊工艺，是高集成度、绿色环保电子产品的理想选择。
ZXMN3B04N8TA广泛应用于需要小型化与高效能兼顾的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关与负载管理，例如智能手机和平板电脑中的背光控制、摄像头模块供电切换以及USB接口电源隔离。其低导通电阻和低压驱动特性也使其成为电池供电设备的理想选择，可用于延长电池续航时间。
在电源管理系统中，该器件常用于同步降压转换器的下管开关，或作为线性稳压器的旁路开关，实现高效的DC-DC变换。此外，它还可用于电机驱动电路、LED调光控制、传感器供电使能以及热插拔电路中，提供快速且可靠的开关功能。
由于其双通道设计，ZXMN3B04N8TA也适用于H桥驱动的部分低端开关应用，或在音频放大器中作为电源选通开关使用。在通信模块、无线耳机、可穿戴设备等对体积敏感的产品中，该超小型SOT-563封装器件展现出明显优势。工业控制领域中，也可用于PLC输入输出模块、继电器替代方案以及智能传感器节点的电源管理单元。
DMG3415U,DMP3026LSD,FDG330N,FDC6322P,ZXMS6004FF
