类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(VDSS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：3.7A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：14A
　　导通电阻(RDS(on))_max@VGS=4.5V：45mΩ
　　导通电阻(RDS(on))_max@VGS=2.5V：60mΩ
　　阈值电压(VGS(th))@ID=250μA：0.45V ~ 1V
　　输入电容(Ciss)@VDS=10V：350pF
　　输出电容(Coss)@VDS=10V：140pF
　　反向传输电容(Crss)@VDS=10V：40pF
　　栅极电荷(Qg)@VGS=4.5V, ID=3.7A：5.5nC
　　功耗(Pd)：1W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23

ZXMN3A14F N沟道MOSFET具备多项关键特性，使其在众多低压功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻是该器件的核心优势之一。在VGS = 4.5V时，最大RDS(on)仅为45mΩ；而在更低的驱动电压VGS = 2.5V下，仍能保持60mΩ的低阻值，这使得它非常适合用于电池供电系统或使用逻辑电平信号直接驱动的场合。这种低RDS(on)显著降低了导通损耗，提高了整体能效，尤其在大电流条件下效果更为明显。其次，该器件具有非常低的栅极电荷（Qg典型值为5.5nC），这意味着它可以实现快速开关动作，减少开关过程中的能量损耗，从而提升高频工作的效率，适用于DC-DC转换器等需要高频率切换的应用。
　　另一个重要特性是其优异的热性能与小型化封装的结合。尽管采用的是SOT-23三引脚塑料封装，体积小巧，但通过优化芯片结构和封装材料，ZXMN3A14F能够承受高达1W的功耗，并支持工作结温最高达+150°C，确保在恶劣环境下也能稳定运行。此外，其输入、输出及反向传输电容均经过优化，有助于降低噪声干扰并提高系统的电磁兼容性（EMC）。该器件还具备良好的雪崩耐受能力和抗静电能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。
　　ZXMN3A14F的阈值电压范围为0.45V至1V，在微控制器I/O口等低电压控制信号下即可实现有效开启，适合与3.3V或甚至1.8V逻辑接口直接配合使用，无需额外的电平转换电路。这一特点进一步简化了系统设计，减少了外围元件数量。同时，±8V的栅源电压额定值提供了足够的安全裕度，防止因栅极过压导致的器件损坏。综合来看，ZXMN3A14F凭借其低导通电阻、低驱动需求、高开关速度、优良热性能和紧凑封装，成为消费类电子、工业控制和便携设备中理想的功率开关解决方案。

ZXMN3A14F因其优异的电气性能和小型封装，广泛应用于多种电子系统中。最常见的用途之一是作为负载开关，用于控制电源路径的通断，例如在便携式设备中管理不同模块的供电，以实现节能待机或热插拔功能。由于其低导通电阻和低驱动电压需求，非常适合用于电池供电系统中的电源分配单元，有效延长电池续航时间。此外，该器件常被用作DC-DC降压或升压转换器中的同步整流开关，替代传统二极管以减少压降和功耗，从而显著提高电源转换效率。
　　在电机驱动应用中，ZXMN3A14F可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端开关元件，提供快速响应和低功耗控制。它也常见于LED背光驱动和照明控制系统中，作为恒流源的开关调节元件，实现亮度调光功能。在保护电路方面，该MOSFET可用于过流保护、反向极性保护和热插拔控制电路中，利用其可控导通特性实现软启动和浪涌电流抑制。
　　此外，ZXMN3A14F还适用于各种信号开关和模拟多路复用场景，尤其是在需要低导通电阻和高隔离度的音频或传感器信号路由中表现良好。在嵌入式系统和微控制器外围电路中，常用于GPIO扩展或电平移位功能，实现与其他设备的安全通信。总之，从消费电子到工业控制，再到汽车电子中的非关键子系统，ZXMN3A14F凭借其高可靠性、小尺寸和高性能，已成为现代电子设计中不可或缺的基础功率元件之一。

FDN302P
　　DMG2301U
　　AO3400
　　SI2302DS
　　FDS6670A