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ZXMN3A04KTC 发布时间 时间:2025/6/30 18:55:37 查看 阅读:3

ZXMN3A04KTC是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种高效能功率转换应用。它主要设计用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域中的开关和电源管理。
  该器件采用了TO-252 (DPAK)封装形式,使其能够方便地集成到紧凑型设计中,同时具备良好的散热性能。

参数

最大漏源电压(VDS):40V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):3.6A
  导通电阻(RDS(on)):150mΩ(典型值,在VGS=10V时)
  总功耗(Ptot):1.8W
  结温范围(TJ):-55℃至+150℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

ZXMN3A04KTC具有以下关键特性:
  1. 低导通电阻:有助于降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关能力:支持高频开关操作,适合开关电源和DC-DC转换器等应用。
  3. 高雪崩击穿能力:增强了器件的耐用性和可靠性,可承受过载或异常情况下的能量冲击。
  4. 热稳定性好:在宽温度范围内保持稳定的电气性能。
  5. 符合RoHS标准:环保且满足现代电子产品对无铅的要求。
  6. 封装紧凑:便于PCB布局,同时提供高效的散热路径。

应用

ZXMN3A04KTC广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS):包括适配器、充电器及AC-DC转换器。
  2. DC-DC转换器:如降压、升压和反相电路。
  3. 电机驱动:用于小型直流电机的启动和调速控制。
  4. 工业自动化设备:例如电磁阀驱动、继电器控制等。
  5. 汽车电子:适用于车身电子控制单元(ECU)、LED照明驱动等领域。
  6. 消费类电子产品:如家用电器中的电源管理和负载切换功能。

替代型号

ZXMN3A04FTA, ZXMN3A08FTA

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ZXMN3A04KTC参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs36.8nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1890pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.15W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMN3A04KTCTR