ZXMN3A04KTC是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种高效能功率转换应用。它主要设计用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域中的开关和电源管理。
该器件采用了TO-252 (DPAK)封装形式,使其能够方便地集成到紧凑型设计中,同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压(VDS):40V
最大栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):3.6A
导通电阻(RDS(on)):150mΩ(典型值,在VGS=10V时)
总功耗(Ptot):1.8W
结温范围(TJ):-55℃至+150℃
封装形式:TO-252 (DPAK)
ZXMN3A04KTC具有以下关键特性:
1. 低导通电阻:有助于降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关能力:支持高频开关操作,适合开关电源和DC-DC转换器等应用。
3. 高雪崩击穿能力:增强了器件的耐用性和可靠性,可承受过载或异常情况下的能量冲击。
4. 热稳定性好:在宽温度范围内保持稳定的电气性能。
5. 符合RoHS标准:环保且满足现代电子产品对无铅的要求。
6. 封装紧凑:便于PCB布局,同时提供高效的散热路径。
ZXMN3A04KTC广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS):包括适配器、充电器及AC-DC转换器。
2. DC-DC转换器:如降压、升压和反相电路。
3. 电机驱动:用于小型直流电机的启动和调速控制。
4. 工业自动化设备:例如电磁阀驱动、继电器控制等。
5. 汽车电子:适用于车身电子控制单元(ECU)、LED照明驱动等领域。
6. 消费类电子产品:如家用电器中的电源管理和负载切换功能。
ZXMN3A04FTA, ZXMN3A08FTA