型号：ZXMN3A04DN8TA
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　连续漏极电流(ID)：4.1A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：16.4A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on)_max)：22mΩ @ VGS=10V, ID=2A
　　导通电阻(RDS(on)_max)：28mΩ @ VGS=4.5V, ID=2A
　　阈值电压(VGS_th)：1.1V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：410pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：19ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：DFN2020

ZXMN3A04DN8TA采用了先进的TrenchFET沟槽型MOSFET工艺，这种结构通过在硅片上构建垂直的沟道来显著提升单位面积下的载流子迁移率，从而实现更低的导通电阻和更高的电流密度。该器件在VGS=10V时，典型RDS(on)仅为22mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，有助于减少导通损耗，提升整体系统效率。特别是在电池供电设备中，低RDS(on)意味着更少的能量以热量形式耗散，延长了设备的续航时间。
　　该MOSFET还具备优异的开关性能，其输入电容Ciss仅为410pF（测试条件为VDS=15V），配合较低的栅极电荷Qg，使得驱动电路所需的能量更少，适合用于高频PWM控制场景，如同步降压变换器或LED背光驱动。同时，反向恢复时间trr为19ns，表明体二极管具有较快的响应速度，减少了开关过程中的交叉导通风险和能量损失，提升了电源系统的稳定性与可靠性。
　　ZXMN3A04DN8TA的工作结温范围高达+150°C，具备良好的热稳定性，可在严苛环境下长期运行。其DFN2020封装不仅体积小巧，还具备优良的散热能力，底部有暴露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热层，进一步增强热管理效果。此外，该封装支持自动化贴片生产，兼容回流焊工艺，适用于大规模SMT生产线。
　　器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（部分批次），可用于车载信息娱乐系统或车身控制模块等对可靠性要求较高的领域。静电放电（ESD）防护能力也较强，HBM模型下可达±2000V，提高了在装配和使用过程中的抗干扰能力。总体而言，ZXMN3A04DN8TA是一款集高性能、小尺寸、高可靠性和易用性于一体的先进功率MOSFET，适用于多种现代电子系统中的关键开关节点。

ZXMN3A04DN8TA广泛应用于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和智能手表中，作为电源开关、负载开关或电池管理单元的核心元件。其低导通电阻和小封装特性使其非常适合用于电池供电系统中的高效能电源路径控制，例如在系统上电时启用特定功能模块的供电，或在待机模式下切断非必要电路以节省能耗。
　　在电源管理领域，该器件常用于同步整流式DC-DC降压转换器中作为下管（low-side switch），利用其快速开关特性和低RDS(on)来提高转换效率，减少发热。它也可用于LDO后级的通断控制，实现多路电源时序管理。此外，在USB充电接口、移动电源、无线充电接收器等设备中，ZXMN3A04DN8TA可用作过流保护开关或热插拔控制器，确保连接安全。
　　工业控制和物联网终端设备中，该MOSFET可用于传感器供电控制、MCU外设驱动、电机驱动电路中的低端开关等场景。由于其支持宽温工作范围，甚至可在环境温度变化较大的户外设备中稳定运行。在汽车电子方面，尽管并非所有版本都通过完整车规认证，但部分批次可用于非关键性的辅助电源系统，如车载摄像头电源开关、车内照明调光控制等。
　　此外，ZXMN3A04DN8TA还可用于LED驱动电路中作为恒流源的开关元件，或在音频放大器中作为电源切换开关，避免开机冲击噪声。其高频响应能力和低寄生参数也使其适用于一些射频开关或模拟开关应用中，尤其是在需要高集成度的小型化设计中表现突出。

DMG3415U,DMP3026LKSP,SI2302ADS