型号：ZXMN2F30FH
　　制造商：Diodes Incorporated
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：6.8A
　　脉冲漏极电流IDM：27A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：23mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：29mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=2.5V）：40mΩ
　　阈值电压VGS(th)：典型值1.1V，范围0.8V~1.5V
　　输入电容Ciss：典型值450pF（@VDS=15V）
　　输出电容Coss：典型值210pF
　　反向传输电容Crss：典型值60pF
　　栅极电荷Qg（typ @ VGS=10V）：10nC
　　最大功耗PD（@TA=25°C）：1.4W
　　工作结温范围TJ：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN2020B-8

ZXMN2F30FH采用了先进的TrenchFET工艺技术，这种结构通过优化沟道密度和降低寄生效应，显著提升了器件的导电性能和开关速度。其核心优势之一是极低的导通电阻，在VGS=10V时最大仅为23mΩ，而在更低的驱动电压如4.5V或2.5V下仍能保持29mΩ和40mΩ的低阻值，这使得它在低电压、大电流的应用中表现出色，有效减少了功率损耗并提高了系统效率。
　　该器件支持逻辑电平驱动，能够在3.3V甚至更低的微控制器输出电压下实现完全导通，因此非常适合与现代数字控制芯片配合使用。其较低的阈值电压（典型值1.1V）确保了在启动阶段即可快速建立导电通道，缩短响应时间。同时，较小的栅极电荷（Qg典型值10nC）意味着驱动电路所需的能量更少，进一步降低了驱动损耗，并有助于实现更高的开关频率，适用于高频DC-DC变换器拓扑结构。
　　ZXMN2F30FH具备优良的热性能，得益于其DFN2020B-8封装设计，底部带有散热焊盘，能够高效地将热量传导至PCB，提升整体散热能力。在自由空气环境中，该器件可承受高达1.4W的功耗，且结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工作环境。此外，内部寄生二极管具有较低的正向压降和较快的反向恢复时间，有助于减少体二极管导通期间的能量损耗，尤其在同步整流或H桥应用中表现优异。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了系统在异常工况下的可靠性。其符合RoHS标准，无卤素，满足现代电子产品对环保的要求。总体而言，ZXMN2F30FH是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适合用于追求小型化、高效率和高集成度的电源管理系统中。

ZXMN2F30FH广泛应用于各类中小功率电源管理系统中。常见用途包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，作为主开关或同步整流管，利用其低导通电阻减少传导损耗，提高转换效率。在电池供电设备如智能手机、平板电脑、便携式医疗仪器和无线传感器节点中，常被用作负载开关或电源路径控制器，实现对不同模块的上电时序管理和节能控制。
　　在电机驱动领域，尤其是微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，ZXMN2F30FH可作为低端或全桥开关元件，凭借其快速开关能力和良好热稳定性，保障驱动系统的响应速度和长期运行可靠性。此外，该器件也适用于过流保护电路、热插拔控制器以及LED驱动电源中的开关调节部分。
　　由于其小尺寸DFN2020B-8封装（2mm x 2mm），非常适合高密度PCB布局，广泛用于空间受限的消费类电子和工业控制模块。在USB供电设备、充电管理单元以及多路电源切换系统中也有广泛应用。其逻辑电平兼容特性使其可以直接由微控制器GPIO驱动，无需额外的电平转换或驱动IC，简化了系统设计。总之，凡是需要高效、小型化、低电压驱动的开关应用，ZXMN2F30FH都是一个理想的选择。

DMG2302UK-7
　　FDS6680A
　　AOZ5205NQI-01