ZXMN2B14FHTA
时间:2023/8/11 17:06:01
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概述
制造商:DiodesInc.
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:Single
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:20V
闸/源击穿电压:+/-8V
漏极连续电流:4.3A
功率耗散:1500mW
最大工作温度:+150℃
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-3
封装:Reel
最小工作温度:-55℃
StandardPackQty:3000
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- ZXMN2B14FHTA
- 深圳成德兴科技有限公司
- 21020
- ZETEX/DIODES
- 2022+/SOT23
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- 深圳市腾桩电子有限公司
- 4800
- DIODES/美台
- 23+/SOT23(SOT233)
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- 深圳市郓州科技有限公司
- 8000
- Diodes
- 2024+/TO2363 SC59 SOT233
-
ZXMN2B14FHTA参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 单
- 系列-
- FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.5A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C55 毫欧 @ 3.5A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds872pF @ 10V
- 功率 - 最大1W
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装SOT-23-3
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称ZXMN2B14FHTR