ZXMN2B14FHTA
时间：2023/8/11 17:06:01
阅读：261
概述
制造商：DiodesInc.
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：Single
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：20V
闸/源击穿电压：+/-8V
漏极连续电流：4.3A
功率耗散：1500mW
最大工作温度：+150℃
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SOT-23-3
封装：Reel
最小工作温度：-55℃
StandardPackQty：3000
ZXMN2B14FHTA推荐供应商
更多>
- ZXMN2B14FHTA
- 深圳成德兴科技有限公司
- 21020
- ZETEX/DIODES
- 2022+/SOT23
-
- ZXMN2B14FHTA
- 深圳市三顾电子
- -
- DIODES
- -/SOT23
-
- ZXMN2B14FHTA
- 深圳市腾桩电子有限公司
- 4800
- DIODES/美台
- 23+/SOT23(SOT233)
-
- ZXMN2B14FHTA
- 深圳市郓州科技有限公司
- 8000
- Diodes
- 23+/TO2363 SC59 SOT233
-
- ZXMN2B14FHTA
- 上海包恰科技有限公司
- 69000
- DIODES
- 23+/Trans MOSFET NCH 20V 4.3A 3Pin SOT23 T/R
-
ZXMN2B14FHTA参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 单
- 系列-
- FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C55 毫欧 @ 3.5A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds872pF @ 10V
- 功率 - 最大1W
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装SOT-23-3
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称ZXMN2B14FHTR
