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ZXMN2A02N8TA 发布时间 时间:2023/8/11 16:59:30 查看 阅读:220

产品种类:MOSFET小信号

目录

概述

制造商:DiodesInc.

产品种类:MOSFET小信号

RoHS:是

配置:SingleQuadDrainTripleSource

晶体管极性:N-Channel

电阻汲极/源极RDS(导通):0.04Ohms

汲极/源极击穿电压:20V

闸/源击穿电压:+/-12V

漏极连续电流:10.2A

功率耗散:1.56W

最大工作温度:+150℃

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SO-8

封装:Reel

最小工作温度:-55℃

StandardPackQty:500

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ZXMN2A02N8TA参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 11A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18.9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1900pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.56W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMN2A02N8TR