时间：2025/12/26 10:21:08
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ZXMN15A27KTC是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET晶体管，采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，专为高效率和高性能电源管理应用而设计。该器件封装在节省空间的PDFN3.3x3.3封装中，具有低热阻特性，能够有效散热，适用于需要紧凑设计和高效能转换的现代电子设备。ZXMN15A27KTC以其出色的导通电阻与栅极电荷平衡，在DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中表现出色。其优化的硅片设计确保了在低电压控制信号下也能实现完全导通，从而提高了系统整体能效。
该器件符合RoHS环保标准，并且无铅（Pb），适合用于对环境要求较高的工业及消费类电子产品中。由于其小型化封装和优良的电气性能，ZXMN15A27KTC广泛应用于便携式设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及其他需要高效功率开关的场合。此外，该MOSFET支持表面贴装自动化生产流程，提升了制造效率并降低了组装成本。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：20 V
连续漏极电流（ID）@25°C：18 A
脉冲漏极电流（IDM）：72 A
导通电阻RDS(on) @4.5V VGS：4.5 mΩ
导通电阻RDS(on) @2.5V VGS：6.0 mΩ
导通电阻RDS(on) @1.8V VGS：9.0 mΩ
栅源阈值电压（VGS(th)）：0.6 V ~ 1.2 V
栅极电荷（Qg）@4.5V：16 nC
输入电容（Ciss）：1020 pF
输出电容（Coss）：460 pF
反向恢复时间（trr）：16 ns
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：PDFN3.3x3.3
ZXMN15A27KTC采用先进的沟槽技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，同时保持较低的栅极电荷（Qg），实现了优异的开关速度和能量效率。这种设计特别适合高频开关电源应用，例如同步整流DC-DC转换器，其中低RDS(on)有助于减少传导损耗，而低Qg则降低驱动功耗和开关过程中的动态损耗。器件在不同栅压下的RDS(on)表现优异，即使在1.8V VGS条件下仍可维持9.0mΩ的低导通电阻，使其兼容现代低压逻辑控制器，如PWM控制器或GPIO输出，无需额外电平转换电路即可直接驱动。
该MOSFET具备良好的热稳定性，PDFN3.3x3.3封装具有较小的热阻（典型θJA约为40°C/W），能够在高功率密度环境下可靠运行。内部结构经过优化以减少寄生参数，提升抗噪声能力和瞬态响应性能。体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=16ns），有助于减小桥式拓扑中的交叉导通风险，提高系统可靠性。此外，器件通过了AEC-Q101汽车级认证的部分测试条件，可用于部分车载电子模块，如LED照明驱动或车载充电接口的电源管理单元。
ZXMN15A27KTC还具备较强的雪崩耐受能力，能在短时过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击，增强了系统的鲁棒性。其低阈值电压特性允许在低输入电压下快速开启，适用于电池供电设备中常见的宽电压范围操作场景。总体而言，这款MOSFET结合了高性能、小型化和高可靠性，是现代高效电源系统中的理想选择之一。
主要用于同步降压变换器、DC-DC电源模块、负载开关电路、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、热插拔控制器、LED背光驱动以及便携式消费类电子产品中的电源管理单元。也适用于服务器电源、通信设备电源和工业控制板卡等需要高效低电压功率开关的应用场景。
AO4618, FDMN1500, IPD95N02S, BUK9Y23-20E, NVMFS4C02NL
