时间：2025/6/14 15:59:48
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ZXMN10B08E6 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽技术，能够提供低导通电阻和高效率性能，适用于多种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用场合。
这款功率 MOSFET 在设计上具有良好的热稳定性和电气特性，使其非常适合需要高效能与高可靠性的系统中使用。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：6.5mΩ
栅极电荷（典型值）：20nC
工作温度范围：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
ZXMN10B08E6 的主要特点是其低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外，它还具备快速开关速度，从而降低开关损耗。
器件内部集成了 ESD 保护电路，增强了芯片的鲁棒性。
其优化的热阻抗设计允许在较高结温下运行，进一步提升了系统的可靠性。
由于采用了 TO-252 封装，该 MOSFET 易于安装且兼容各种表面贴装工艺流程。
总体而言，ZXMN10B08E6 提供了出色的功率密度和效能表现，适合用作高性能功率转换解决方案中的关键元件。
ZXMN10B08E6 广泛应用于 DC-DC 转换器、降压/升压变换器、电机控制、电池管理系统以及各类工业自动化设备中。
它也常见于消费类电子产品如笔记本电脑适配器、LED 驱动器和家用电器的电源部分。
凭借其强大的性能指标，该器件还可用于新能源领域，例如太阳能逆变器或电动车充电设施等。
ZXMN10A08E6, ZXMN11A08D6
