时间：2025/6/27 5:46:57
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ZXMN10A11GTA 是一款 N 沣道通沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为需要高效率和低功耗的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有极低的导通电阻和快速开关性能，适用于各种电源管理和功率转换场景。
该 MOSFET 的封装形式为 SOT-23，能够有效节省电路板空间，同时具备良好的散热性能。它广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：1.6A
导通电阻(Rds(on))：150mΩ
总电荷(Qg)：10nC
栅极电荷(Qgs)：4nC
开关速度：快速
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +150°C
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 提升了系统的整体效率。
2. 快速的开关性能使得其在高频应用中表现出色。
3. 小型化的 SOT-23 封装非常适合对空间敏感的设计。
4. 宽泛的工作温度范围确保了其在各种环境下的稳定性。
5. 高可靠性与抗干扰能力，适合多种复杂工况。
6. 具备出色的热稳定性和电气性能。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各类负载开关和保护电路。
3. 电池管理及充电系统中的关键元件。
4. 电机驱动与控制电路。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率调节。
6. LED 照明驱动电路。
ZXMN10A11FTA, ZXMN10A11HTA
