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ZXMN10A11GTA 发布时间 时间:2025/6/27 5:46:57 查看 阅读:3

ZXMN10A11GTA 是一款 N 沣道通沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为需要高效率和低功耗的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有极低的导通电阻和快速开关性能,适用于各种电源管理和功率转换场景。
  该 MOSFET 的封装形式为 SOT-23,能够有效节省电路板空间,同时具备良好的散热性能。它广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):1.6A
  导通电阻(Rds(on)):150mΩ
  总电荷(Qg):10nC
  栅极电荷(Qgs):4nC
  开关速度:快速
  工作温度范围(Ta):-55°C 至 +150°C

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 提升了系统的整体效率。
  2. 快速的开关性能使得其在高频应用中表现出色。
  3. 小型化的 SOT-23 封装非常适合对空间敏感的设计。
  4. 宽泛的工作温度范围确保了其在各种环境下的稳定性。
  5. 高可靠性与抗干扰能力,适合多种复杂工况。
  6. 具备出色的热稳定性和电气性能。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 各类负载开关和保护电路。
  3. 电池管理及充电系统中的关键元件。
  4. 电机驱动与控制电路。
  5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率调节。
  6. LED 照明驱动电路。

替代型号

ZXMN10A11FTA, ZXMN10A11HTA

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ZXMN10A11GTA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C350 毫欧 @ 2.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5.4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds274pF @ 50V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMN10A11GTR