时间：2025/12/24 5:01:18
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ZXMN10A08GTA 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于各种高效能电源管理应用。这款MOSFET通常被应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、LED照明以及消费类电子产品的电源管理等场景。
该型号为表面贴装封装类型TO-Leadless（TOLL），这种封装有助于提高散热性能并减少寄生电感，从而进一步提升整体效率和可靠性。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：9.7A
导通电阻（典型值）：9mΩ
栅极电荷（典型值）：14nC
总电容（输入电容）：350pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装类型：TOLL
1. 高效低导通电阻设计，降低功率损耗。
2. 快速开关特性，能够有效减少开关损耗。
3. 提供了优异的热性能和电气性能，适合高密度PCB布局。
4. 具备出色的雪崩能力和鲁棒性，提高了系统的可靠性和耐用性。
5. 符合RoHS标准，环保且满足全球法规要求。
6. 封装尺寸紧凑，便于在空间受限的应用中使用。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级控制。
2. DC-DC转换器中的同步整流或降压/升压电路。
3. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、平板充电器中的电源管理。
4. LED驱动电路中的开关元件。
5. 各种工业设备中的负载开关和保护电路。
6. 小型电机驱动和控制电路中的功率开关。
ZXMN10A08FTA, ZXMN11A08FTA, BSC0906NS, IRF7843
