ZXMHC3F381N8 时间：2025/5/12 21:52:46 阅读：7

ZXMHC3F381N8 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等应用领域。它采用 TO-252 (DPAK) 封装形式，具备出色的热性能和电气性能。

参数

型号：ZXMHC3F381N8
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　漏源极电压 (Vds)：40 V
　　连续漏极电流 (Id)：8.7 A
　　导通电阻 (Rds(on))：35 mΩ (典型值，在 Vgs=10V 时)
　　栅极电荷 (Qg)：19 nC (最大值)
　　功耗：1.6 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

ZXMHC3F381N8 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗，提高整体效率。
　　2. 快速开关性能，适用于高频应用。
　　3. 高度可靠的 DPAK 封装，提供卓越的散热能力。
　　4. 栅极阈值电压稳定，便于驱动电路设计。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
　　6. 出色的短路耐受能力和抗雪崩能力，确保在异常条件下也能可靠运行。
　　7. 紧凑的封装尺寸，适合空间受限的应用场景。

应用

ZXMHC3F381N8 广泛用于以下应用领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的初级和次级侧开关。
　　2. 各种 DC-DC 转换器中的同步整流和降压/升压转换。
　　3. 电池管理系统的负载开关和保护电路。
　　4. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　5. 工业自动化设备中的功率开关。
　　6. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
　　7. 家用电器中的功率调节和控制模块。