ZXMHC3A01N8 时间：2025/5/30 0:44:45 阅读：6

ZXMHC3A01N8 是一款由 ZETEX（现为 Diodes 公司旗下品牌）生产的高压 N 沟道 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，专为需要高效率和低功耗的应用而设计，广泛适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。其封装形式为 SOT223，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸。

参数

最大漏源电压：800V
　　连续漏极电流：1.4A
　　栅极电荷：65nC
　　导通电阻：6.5Ω
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　结温：150℃

特性

ZXMHC3A01N8 具有以下主要特性：
　　1. 高压性能：能够承受高达 800V 的漏源电压，适用于各种高压应用场景。
　　2. 低栅极电荷：仅为 65nC，有助于降低开关损耗，提高系统效率。
　　3. 快速开关能力：得益于较低的输入和输出电容，可以实现高效的高频操作。
　　4. 紧凑封装：SOT223 封装提供优秀的散热性能，同时节省 PCB 空间。
　　5. 安全可靠：具备较高的雪崩能力和热稳定性，确保在恶劣条件下的可靠运行。
　　6. 符合 RoHS 标准：环保且满足国际法规要求。

应用

ZXMHC3A01N8 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于高效能功率转换。
　　2. DC-DC 转换器：提供稳定可靠的电压调节功能。
　　3. 电机驱动：适用于小型电机控制和驱动电路。
　　4. 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器 (PLC) 和继电器驱动。
　　5. LED 驱动：为大功率 LED 提供恒流或恒压支持。
　　6. 电池充电器：用作功率开关以优化充电效率。