时间：2025/6/6 15:45:51
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ZXMC6A09DN8T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频和高效率应用设计。该器件采用先进的封装技术以优化散热性能，并支持高达 650V 的工作电压。其超低的导通电阻（Rds(on)）使其成为开关电源、DC-DC 转换器以及快充适配器的理想选择。
该器件结合了高开关频率与低损耗的特点，从而显著提升了系统效率并减小了整体尺寸。
最大额定电压：650V
导通电阻：9mΩ
连续漏极电流：12A
栅极电荷：35nC
开关频率：超过 2MHz
封装类型：DFN8
1. 基于 GaN 技术，具备超高开关速度和低开关损耗。
2. 极低的 Rds(on)，在高负载条件下提供卓越的效率表现。
3. 支持高频率操作，能够显著减少无源元件的体积和成本。
4. 内置过流保护功能，增强系统的可靠性。
5. 高热阻抗设计，确保长时间稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设备的需求。
1. USB-PD 快充适配器及充电器设计。
2. 小型化 DC-DC 转换器。
3. 高频 AC-DC 开关电源。
4. 消费类电子产品中的高效能电源管理模块。
5. LED 驱动电路中的高性能解决方案。
6. 工业设备中对效率和空间要求较高的场景。
ZXMC6A12DN8T
ZXMC6A15DP8T
GAN041-650WSA
