类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(VDS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：-1.9A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-4.6A
　　导通电阻(RDS(on))：55mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：75mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压(Vth)：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容(Ciss)：290pF @ VDS = 10V
　　反向恢复时间(trr)：17ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/包装：SOT-23（SC-59）
　　安装类型：表面贴装

ZXMC3AMCTA采用先进的沟槽栅极工艺技术制造，这种结构显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。在VGS为-4.5V时，其典型RDS(on)仅为55mΩ，在同类P沟道MOSFET中具有较强的竞争力，特别适合用于负载开关、电机驱动或DC-DC转换器中的同步整流等场景。该器件还具备较低的栅极电荷（Qg），这有助于减少驱动电路的能量消耗并加快开关响应速度，从而提升高频工作的效率与稳定性。
　　此外，ZXMC3AMCTA的阈值电压范围为-0.8V至-1.4V，确保了在低控制电压下仍能可靠开启，适用于3.3V甚至更低逻辑电平的微控制器直接驱动，无需额外的电平转换电路。这对于简化电源管理系统设计、节省PCB空间和降低成本非常有利。器件的反向恢复时间较短（17ns），意味着体二极管的恢复特性良好，可降低开关瞬态过程中的能量损耗和电磁干扰风险。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，便于集成于紧凑型设备中，而且具有良好的散热性能，结合合理的PCB布局设计可以有效传导热量。该MOSFET的工作结温最高可达+150°C，展现出优异的热稳定性与长期运行可靠性，适用于工业级环境条件。所有参数均经过严格测试，并在数据手册中提供详细的曲线图支持，方便工程师进行精确建模与仿真分析。

ZXMC3AMCTA广泛应用于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中，用作电源路径管理或电池供电切换控制。它也常见于各类电池管理系统（BMS）中，作为充放电通路的开关元件，以防止反向电流和过载情况发生。此外，该器件适用于低电压DC-DC转换器电路，尤其是在降压（Buck）拓扑中作为高端或低端开关使用，帮助提高转换效率并减小整体方案尺寸。
　　在工业控制领域，ZXMC3AMCTA可用于传感器模块、PLC输入输出接口及小型继电器驱动电路中，提供可靠的信号隔离与功率切换功能。其快速响应能力和低静态功耗特性使其非常适合用于始终在线的低功耗监测系统。另外，由于其良好的抗噪性能和稳定的电气参数，也可用于通信设备中的电源管理单元，保障系统在复杂电磁环境下稳定运行。

ZXMN3A16FTA, ZXMP3A16FTA, DMG3415U, FDN340P, SI2301DS