您好，欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册
网站首页 | 采购商服务 | 会员服务 | 工程师服务 | 网站导航

产品
发布采购信息 修改/删除采购【看报价】
您所在的位置：电子元器件采购网 > IC百科 > ZXM66P03N8TC

ZXM66P03N8TC 发布时间 时间：2023/9/26 17:59:06 查看 阅读：313

产品种类：MOSFET小信号

目录

概述

制造商：DiodesInc.
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：SingleQuadDrainTripleSource
晶体管极性：P-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：0.035Ohms
汲极/源极击穿电压：-30V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：-7.9A
功率耗散：1.56W
最大工作温度：+150℃

安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SO-8
封装：Reel
最小工作温度：-55℃

ZXM66P03N8TC推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

ZXM66P03N8TC资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

ZXM66P03N8TC相关型号推荐

IC词条百科

ZXM66P03N8TC产品

ZXM66P03N8TC参数

  • 制造商Diodes Inc.
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压- 30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流- 7.9 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）0.035 Ohms
  • 配置Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SO-8
  • 封装Reel
  • 下降时间16.3 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1.56 W
  • 上升时间16.3 ns
  • 工厂包装数量2500
  • 典型关闭延迟时间94.6 ns

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

©2024 维库电子市场网（www.dzsc.com）　经营许可证编号：浙B2-20050339 版权声明

十六年专注打造优质电子元器件采购网、IC交易平台。

买家服务热线：0571-85317666 | 买家服务部QQ： QQ:1609526468
卖家服务热线：0571-85317586 | 卖家服务部QQ： QQ:331652727