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ZXM66P03N8TC 发布时间 时间：2023/9/26 17:59:06 查看 阅读：288

产品种类：MOSFET小信号

目录

概述

制造商：DiodesInc.
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：SingleQuadDrainTripleSource
晶体管极性：P-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：0.035Ohms
汲极/源极击穿电压：-30V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：-7.9A
功率耗散：1.56W
最大工作温度：+150℃

安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SO-8
封装：Reel
最小工作温度：-55℃

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ZXM66P03N8TC产品

ZXM66P03N8TC参数

  • 制造商Diodes Inc.
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压- 30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流- 7.9 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）0.035 Ohms
  • 配置Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SO-8
  • 封装Reel
  • 下降时间16.3 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1.56 W
  • 上升时间16.3 ns
  • 工厂包装数量2500
  • 典型关闭延迟时间94.6 ns

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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