您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ZXM64P035GTA

ZXM64P035GTA 发布时间 时间:2023/8/18 17:13:11 查看 阅读:180

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 2.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):35V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.8A
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:46nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :825pF @ 25V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-223 (3 引线 + 接片), SC-73, TO-261
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:*
其它名称:ZXM64P035GTR

ZXM64P035GTA推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

ZXM64P035GTA资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

ZXM64P035GTA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)35V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 2.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs46nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds825pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXM64P035GTR