时间：2025/5/22 21:18:19
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ZXM61P03F是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，广泛用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
其封装形式为SOT-23，这种小型化封装非常适合对空间要求严格的电路设计，同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：1.5A
导通电阻(RDS(on))：150mΩ (在VGS=4.5V时)
栅极电荷(Qg)：3nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55°C to +150°C
ZXM61P03F具有低导通电阻，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。
其小型化的SOT-23封装便于安装在紧凑型电路板上，且支持表面贴装技术(SMT)，提高了生产自动化水平。
此外，该器件的高雪崩能力增强了其在异常工作条件下的鲁棒性，延长了使用寿命。
由于其低电容特性，ZXM61P03F适合高频开关应用，例如DC-DC转换器和负载开关等场景。
ZXM61P03F通常应用于各种需要高效功率切换的场合，如：
- 手机和平板电脑中的电源管理模块
- 笔记本电脑适配器和充电器
- LED驱动电路
- 各类便携式电子设备的负载开关
- 工业控制中的信号切换与保护电路
- 汽车电子系统的电源管理单元
ZXMN2A03F
ZXMN3A03F
AO3400
FDP3085
