时间：2025/12/26 8:50:22
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ZXGD3105N8TC是一款由Diodes Incorporated生产的高性能、高效率的同步整流控制器，专为反激式转换器中的低压侧同步整流应用而设计。该器件通过监测MOSFET漏源极之间的电压来精确控制外部N沟道MOSFET的开关时序，从而替代传统的肖特基二极管，显著降低整流损耗，提高电源系统的整体效率。ZXGD3105N8TC特别适用于对能效要求较高的AC-DC适配器、充电器、开放框架电源以及LED照明驱动等应用场景。其采用先进的自适应导通与关断控制算法，能够有效避免误触发和体二极管导通时间过长的问题，确保在各种负载条件下都能实现可靠的同步整流操作。此外，该芯片具备宽广的工作电压范围和强大的驱动能力，能够在多种输入电压和输出功率配置下稳定运行。封装方面，ZXGD3105N8TC采用小型化的SOT26封装，节省PCB空间，适合高密度电源设计需求。集成的保护功能包括欠压锁定（UVLO）、过温保护以及防击穿（anti-shoot-through）机制，提升了系统在异常工况下的安全性和可靠性。总体而言，ZXGD3105N8TC是一款面向高效节能电源市场的理想同步整流解决方案，帮助工程师满足日益严格的能源标准如CoC Tier 2和DoE Level VI的要求。
工作电压范围：4.5V ~ 18V
启动电流：典型值 25μA
静态电流：典型值 1mA
驱动输出高电平：接近VDD
驱动输出低电平：最大 0.3V
开关频率支持：最高可达500kHz
传播延迟：典型值 40ns
封装类型：SOT26
工作结温范围：-40°C ~ +125°C
引脚数：6
输出驱动能力：峰值拉电流/灌电流 ±0.5A
ZXGD3105N8TC的核心特性在于其基于漏源电压检测的智能同步整流控制机制。它通过高精度比较器实时监测外部MOSFET的VDS电压，在初级侧开关管关断后，当次级绕组电压反转使MOSFET体二极管导通时，控制器迅速识别这一状态并立即开启外部MOSFET，以实现低阻导通路径，大幅减少整流过程中的导通损耗。而在初级侧开关管即将导通前，控制器会提前关断MOSFET，防止因次级侧反向电流导致的能量倒灌和效率下降。这种自适应时序控制无需额外的隔离反馈信号或辅助绕组供电，简化了电路结构，降低了系统成本。
为了增强系统的鲁棒性，ZXGD3105N8TC内置了多重保护机制。例如，防击穿逻辑可确保在MOSFET关断过程中不会出现直通风险；欠压锁定功能则保证芯片在电源电压未达到稳定工作范围之前保持关闭状态，避免误动作。同时，器件具有良好的噪声抑制能力，能够在高频开关环境中稳定运行而不受干扰。由于采用了快速响应的检测电路，即使在轻载或动态负载变化下也能维持高效的同步整流性能，有助于提升待机效率指标。此外，其低功耗设计使得自身消耗的电流极小，进一步贡献于整体能效优化。这些综合优势使其成为现代绿色电源设计中不可或缺的关键元件之一。
主要用于反激式开关电源中的同步整流电路，适用于手机充电器、笔记本电脑适配器、USB-PD电源、TV辅助电源、LED驱动电源及工业用小功率开放框架电源。
ZXGD3103E6TA
