时间：2025/7/29 17:28:29
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ZW50F90CW3是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET，专为高效率、高功率密度的电源转换系统设计。该器件采用先进的工艺技术制造，具备低导通电阻、高耐压和良好的热性能，适用于诸如电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器和工业自动化设备等广泛应用。该器件采用TO-220封装形式，具有优异的散热性能和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：900V
连续漏极电流（ID）@25°C：50A
导通电阻（RDS(ON)）：0.18Ω（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：3V至5V
最大工作温度：150°C
封装形式：TO-220
ZW50F90CW3的低导通电阻确保在高电流工作条件下具有较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。其高耐压能力（900V）使其适用于高压电源转换器，如PFC（功率因数校正）电路和高电压DC-DC转换器。此外，该器件具有出色的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定的性能。
TO-220封装提供了良好的散热性能，有助于将热量从芯片传导至散热片，确保在高温环境下仍能稳定运行。该MOSFET具备较高的短路耐受能力，能够承受短暂的过载工况，提高系统可靠性。
ZW50F90CW3还具有快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频开关电源应用。其栅极驱动特性优化，确保在不同驱动条件下均能实现快速且稳定的开关动作，减少开关延迟和振荡现象。
ZW50F90CW3广泛应用于高功率开关电源、AC-DC适配器、PFC电路、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、工业电机控制、电池充电器和LED照明驱动等场合。由于其高耐压、低导通电阻和优异的热管理性能，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
STW50NM90Z, FCP90HN50D, SPW90N90C3
