类别:分离式半导体产品
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:25 欧姆 @ 150mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:120mA
Id 时的 Vgs(th)(最大):3.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :100pF @ 25V
功率 - 最大:700mW
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
包装:带卷 (TR)