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ZVP2120ASTOA 发布时间 时间:2023/9/1 17:47:48 查看 阅读:167

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:25 欧姆 @ 150mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:120mA
Id 时的 Vgs(th)(最大):3.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :100pF @ 25V
功率 - 最大:700mW
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
包装:带卷 (TR)

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ZVP2120ASTOA参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 欧姆 @ 150mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds100pF @ 25V
  • 功率 - 最大700mW
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 包装带卷 (TR)