ZVP2106G 时间：2025/5/8 10:43:55 阅读：3

ZVP2106G是一款N沟道增强型垂直扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），由Infineon Technologies生产。该器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用，能够提供高效的功率转换和卓越的电气性能。
　　该MOSFET采用TO-252封装形式，具有较小的尺寸和良好的散热性能。其设计使得它能够在高频开关应用中保持较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高整体效率。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：3.7A
　　导通电阻：85mΩ
　　总栅极电荷：9nC
　　开关时间：ton=14ns, toff=19ns
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

ZVP2106G具备以下关键特性：
　　1. 高效功率转换：低导通电阻显著减少了传导损耗，提高了系统效率。
　　2. 快速开关速度：由于其低栅极电荷和快速开关时间，这款MOSFET非常适合高频开关应用。
　　3. 热稳定性强：允许的工作结温范围宽广，可适应多种工作环境。
　　4. 小型化设计：TO-252封装节省了PCB空间，同时提供了良好的热管理能力。
　　5. 可靠性高：经过严格测试，确保在各种恶劣环境下仍能正常运行。
　　6. 符合RoHS标准：满足环保要求，适合绿色电子产品设计。

应用

ZVP2106G广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）
　　2. DC-DC转换器
　　3. 电机驱动电路
　　4. 负载开关
　　5. 电池管理系统
　　6. 消费类电子设备中的功率管理单元
　　7. 工业自动化控制设备
　　这款MOSFET凭借其优异的电气性能和可靠性，在需要高效功率转换的应用场合表现尤为突出。