类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：50V
　　连续漏极电流（ID）：270mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：1.08A
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：0.6V ~ 1.2V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5Ω @ VGS = 2.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：3.5Ω @ VGS = 4.5V
　　输入电容（Ciss）：90pF @ VDS = 25V
　　输出电容（Coss）：45pF @ VDS = 25V
　　反向传输电容（Crss）：8pF @ VDS = 25V
　　最大功耗（PD）：350mW
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23

ZVNL120GTA采用先进的沟槽型MOSFET工艺，这种结构能够显著降低单位面积的导通电阻，从而提升器件的整体效率。其关键特性之一是极低的栅极阈值电压，典型值仅为0.9V，这意味着即使在1.8V或3.3V的逻辑电平下也能实现有效的导通控制，非常适合现代低功耗嵌入式系统的电源管理需求。这一特性使其能够在手持设备、智能手机外设、可穿戴设备等对能效和体积要求极高的场景中发挥优势。
　　该器件的导通电阻在VGS=2.5V时仅为4.5Ω，在VGS=4.5V时进一步降至3.5Ω，确保了在低电压驱动条件下仍能保持较低的导通损耗，减少发热并提高系统整体效率。同时，其输入电容仅为90pF，表明该MOSFET具有较快的开关响应速度，适用于高频开关操作，有助于减小外围滤波元件的尺寸，优化PCB布局。
　　ZVNL120GTA具备出色的热稳定性与可靠性，在+150°C的最大结温下仍能稳定工作，且热阻θJA约为357°C/W，设计时需注意适当的散热措施以确保长期运行安全。器件还集成了体二极管，可用于续流或反向电流保护，尤其在感性负载切换过程中起到关键作用。此外，该MOSFET通过了AEC-Q101认证，证明其在高温、高湿、振动和温度循环等恶劣环境下仍能保持性能稳定，适用于汽车电子中的传感器电源开关、车灯控制模块等应用。
　　从制造角度看，ZVNL120GTA采用无铅、无卤素的绿色封装材料，符合现代环保法规要求。SOT-23封装不仅节省空间，而且便于自动化贴片生产，提升了大规模制造的良率和一致性。综合来看，ZVNL120GTA以其低门槛驱动、小封装、高可靠性和车规认证等优点，成为众多中低端功率开关应用的理想选择。

ZVNL120GTA广泛应用于各类需要小型化、低功耗和高可靠性的电子系统中。典型用途包括便携式电子设备中的负载开关，例如在智能手机、平板电脑和蓝牙耳机中用于控制不同功能模块的电源通断，以实现节能待机或热插拔管理。其低导通电阻和逻辑电平驱动能力使其非常适合用于电池供电系统中的电源路径控制，有效延长电池使用寿命。
　　在工业控制领域，该器件可用于驱动小型继电器、LED指示灯或作为微控制器与执行器之间的接口开关。由于其具备一定的电流承载能力和快速响应特性，也常被用于直流电机的速度调节或方向控制电路中，尤其是在玩具、小型风扇或泵类设备中表现良好。
　　在通信设备中，ZVNL120GTA可用于信号切换或多路复用电路，利用其低电容和高隔离度特性来减少信号串扰。此外，在汽车电子系统中，该MOSFET可用于车身控制模块中的灯光控制、车窗升降器辅助电源管理或传感器供电开关，得益于其通过AEC-Q101认证，能够在宽温度范围和复杂电磁环境中稳定运行。
　　该器件还可用于过压或过流保护电路中的主动开关元件，配合比较器或监控IC实现自动切断功能。在USB电源管理、充电器检测电路以及智能卡接口等应用中也有广泛应用。总体而言，ZVNL120GTA凭借其小巧封装、易驱动性和高可靠性，已成为众多中低功率开关应用中的主流选择之一。

FDC6314P,ZXM61P02G,ZVN2110ASTU,DMG2100U