时间：2025/4/28 14:54:13
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ZVNL120G是一种N沟道逻辑增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于低电压应用场合。它具有极低的导通电阻和快速开关性能，广泛用于负载开关、同步整流器、降压转换器以及其他需要高效能功率管理的场景。
该器件采用了先进的工艺技术设计，能够在低栅极驱动电压下实现优异的性能表现。其封装形式为SOT-23，适合表面贴装技术（SMT）使用。
最大漏源电压(V_DS)：20V
最大栅源电压(V_GS)：±8V
连续漏极电流(I_D)：1.4A
导通电阻(R_DS(on))：95mΩ @ V_GS=4.5V
栅极电荷(Q_g)：4nC
总电容(C_iss)：73pF
工作结温范围(T_j)：-55℃ 至 +150℃
ZVNL120G具备以下主要特点：
1. 极低的导通电阻R_DS(on)，可有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 支持低至1.8V的栅极驱动电压，非常适合锂电池供电或便携式设备中的应用。
3. 快速开关能力，有助于减少开关损耗。
4. 小尺寸SOT-23封装，节省PCB空间，满足紧凑型设计需求。
5. 高可靠性和稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持良好的性能。
ZVNL120G适用于多种电子电路中，包括但不限于以下领域：
1. 手机、平板电脑等消费类电子产品中的负载开关。
2. 同步整流器和DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统（BMS）中的保护和控制开关。
4. LED驱动电路中的调节开关。
5. 其他低功耗、高效率要求的应用场景。
ZVN2106A
Si2302DS
FDC6572A
