时间：2025/6/27 5:45:58
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ZVNL110GTA 是一款 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管（MOSFET），由 Infineon Technologies 提供。这款器件广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景，其封装形式为 TO-Leadless（TOLL），具有良好的散热性能和紧凑的设计。
该 MOSFOT 主要用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：84A
最大栅源电压：±20V
典型导通电阻：0.75mΩ
总栅极电荷：69nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
ZVNL110GTA 的主要特点是其超低的导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极驱动电压下仅为 0.75mΩ，这使其在高电流应用中表现出极低的传导损耗。此外，它还具有较高的雪崩耐量和热稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
器件采用 TOLL 封装，这种无引脚设计不仅减少了寄生电感，还提高了 PCB 的布局灵活性。同时，由于其具备良好的散热性能，使得该 MOSFET 非常适合高功率密度的应用环境。
ZVNL110GTA 的栅极阈值电压较低，非常适合逻辑电平直接驱动，从而简化了电路设计并降低了整体系统成本。
ZVNL110GTA 可以应用于多种电子设备和系统，包括但不限于以下领域：
1. 电池管理系统（BMS）中的负载开关和保护电路。
2. 工业和消费类 DC-DC 转换器。
3. 电动工具和小型家电中的电机驱动。
4. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源解决方案。
5. 服务器和通信设备中的电源管理模块。
其卓越的性能和可靠性使其成为许多高性能应用的理想选择。
ZVN6110N, IRLZ44N, AO3400
