时间：2025/8/28 10:53:54
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ZVN4525GTC 是由 Vishay Semiconductors 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TSSOP（薄型小外形封装）封装形式，适用于需要高效、低导通电阻和快速开关性能的应用场景。该器件具有良好的热稳定性和较低的导通损耗，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电源管理系统中。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：8A
导通电阻（RDS(on)）：25mΩ @ VGS=10V
导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散（PD）：3.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TSSOP
ZVN4525GTC 具备多个显著的性能特点，首先是其低导通电阻（RDS(on)），在 VGS=10V 时仅为 25mΩ，这使得在高电流应用中可以显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。此外，在 VGS=4.5V 时导通电阻也保持在较低的 35mΩ，适用于低电压驱动电路。
该 MOSFET 的漏源电压（VDS）为 30V，栅源电压（VGS）为 ±20V，具有较高的电压承受能力，能够在较宽的电压范围内稳定运行。其连续漏极电流（ID）为 8A，适用于中等功率级别的开关和控制应用。
ZVN4525GTC 采用 TSSOP 封装，具有良好的热管理性能，能够有效散热，提升器件在高负载条件下的稳定性。此外，该器件的功率耗散能力为 3.5W，进一步增强了其在高温环境下的可靠性。
工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，使得该 MOSFET 可在极端温度条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场合。
ZVN4525GTC 主要应用于需要高效功率控制的电子系统中。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件的低导通电阻和快速开关特性可有效提升转换效率并减少热量产生，适用于便携式设备和电源适配器中的电源管理模块。
在负载开关应用中，ZVN4525GTC 可用于控制电源的通断，其高电流承载能力和低功耗特性使其成为理想的选择。此外，在电机控制电路中，该 MOSFET 可用于 PWM 调速控制，提供稳定可靠的开关性能。
由于其良好的热稳定性和宽工作温度范围，ZVN4525GTC 也广泛用于汽车电子系统、工业自动化设备、LED 驱动电源以及电池管理系统等应用中。
Si4406BDY-T1-GE3, IRF7413TRPBF, FDS6680, NDS355AN
