您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ZVN4525E6TC

ZVN4525E6TC 发布时间 时间:2023/9/1 17:48:46 查看 阅读:156

产品种类:MOSFET小信号

目录

概述

制造商:DiodesInc.
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:SingleQuadDrain
晶体管极性:N-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):9.5Ohms
汲极/源极击穿电压:250V
闸/源击穿电压:+/-40V
漏极连续电流:230mA
功率耗散:1.1W
最大工作温度:+150℃

安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-6
封装:Reel
最小工作温度:-55℃

StandardPackQty:10000

ZVN4525E6TC推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

ZVN4525E6TC资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

ZVN4525E6TC参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C230mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.5 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.8V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.65nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds72pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6
  • 供应商设备封装SOT-23-6
  • 包装带卷 (TR)