时间：2025/6/13 18:16:13
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ZVN4306GTA是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Diodes Incorporated制造。该器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高效功率控制的电路中。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合在高频应用中使用。
这款MOSFET采用SOT-23封装形式，体积小，便于在紧凑型设计中使用。由于其出色的电气特性和热稳定性，ZVN4306GTA广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：620mA
导通电阻（Rds(on)）：1.5Ω（典型值，在Vgs=4.5V时）
总功耗：410mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 小型化封装：SOT-23，适合高密度PCB布局。
2. 低导通电阻：在特定栅极驱动电压下表现出较低的Rds(on)，有助于减少传导损耗。
3. 高速开关性能：具备快速开关能力，适用于高频开关应用。
4. 热稳定性强：能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
5. 抗静电能力强：符合JEDEC标准，具有较高的ESD防护等级。
6. 低成本解决方案：为设计工程师提供经济高效的功率管理选择。
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的开关元件。
3. 负载开关和电源管理模块。
4. 电池供电设备中的功率控制。
5. 消费类电子产品，如手机、平板电脑和笔记本电脑中的保护电路。
6. 工业控制和通信设备中的信号切换。
ZVN4310HTA, BSS138, NTR4107NT1G
