ZVN4206G 时间：2025/4/25 14:58:41 阅读：7

ZVN4206G是一种N沟道增强型垂直功率MOSFET，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，在导通电阻、开关速度和热性能等方面表现出色，适用于多种电力电子设备。其封装形式通常为TO-220，适合表面贴装和插件安装。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：15A
　　导通电阻：9.5mΩ（典型值）
　　总功耗：130W
　　工作结温范围：-55℃至+175℃

特性

ZVN4206G具有低导通电阻的特点，可以显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。同时，其快速开关能力和良好的热稳定性使其非常适合于高频开关电源、DC-DC转换器以及其他功率管理应用。此外，该器件还具备较强的雪崩能力，能够在异常条件下提供额外的保护。
　　该芯片的主要特点包括：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
　　2. 快速开关特性，能够适应高频操作需求。
　　3. 高击穿电压，确保在高压环境下稳定运行。
　　4. 良好的热性能，支持长时间高温工作环境。
　　5. 强大的雪崩能量吸收能力，提升系统可靠性。

应用

ZVN4206G广泛应用于各种功率电子领域，主要应用包括但不限于以下方面：
　　1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
　　2. DC-DC转换器的核心功率元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率级组件。
　　4. 各类负载开关和保护电路。
　　5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制元件。
　　由于其出色的性能，ZVN4206G在工业控制、消费电子以及汽车电子等领域均有着广泛的应用场景。