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ZVN2120GTC 发布时间 时间:2025/5/27 9:13:49 查看 阅读:12

ZVN2120GTC 是一款 N 沟道增强型垂直 DMOS 功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换和控制的领域。该器件采用了先进的制造工艺,能够在高频条件下实现低损耗和高效率的性能表现。
  其封装形式为 TO-220AC,具备较高的电流承载能力和散热性能,适用于中等功率范围的应用场景。

参数

最大漏源电压(VDS):60 V
  最大栅源电压(VGS):±20 V
  连续漏极电流(ID):28 A
  脉冲漏极电流(IDM):84 A
  导通电阻(RDS(on)):5.5 mΩ(在 VGS=10 V 时)
  总功耗(PD):130 W
  结温范围(TJ):-55 ℃ 至 +175 ℃
  存储温度范围(TSTG):-55 ℃ 至 +175 ℃

特性

ZVN2120GTC 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 RDS(on),能够有效降低导通损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用场合,减少开关损耗。
  3. 高电流处理能力,可满足大功率负载的需求。
  4. 内置反向二极管,提供更好的保护功能,避免因电感负载引起的反电动势损坏器件。
  5. 较宽的栅极驱动电压范围,增强了使用的灵活性。
  6. 优秀的热性能设计,有助于提升长期运行的可靠性。

应用

ZVN2120GTC 可用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 负载开关及电池管理系统的功率控制。
  4. 各类 DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
  5. 工业自动化设备中的功率驱动与切换模块。
  6. LED 照明系统的恒流或恒压控制。
  7. 电动车及消费电子产品的功率管理部分。

替代型号

IRFZ44N
  STP28NF06L
  FDP5570
  IXFN28N06P

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ZVN2120GTC参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C320mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 欧姆 @ 250mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds85pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)