时间：2025/5/27 9:13:49
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ZVN2120GTC 是一款 N 沟道增强型垂直 DMOS 功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换和控制的领域。该器件采用了先进的制造工艺，能够在高频条件下实现低损耗和高效率的性能表现。
其封装形式为 TO-220AC，具备较高的电流承载能力和散热性能，适用于中等功率范围的应用场景。
最大漏源电压（VDS）：60 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：28 A
脉冲漏极电流（IDM）：84 A
导通电阻（RDS(on)）：5.5 mΩ（在 VGS=10 V 时）
总功耗（PD）：130 W
结温范围（TJ）：-55 ℃ 至 +175 ℃
存储温度范围（TSTG）：-55 ℃ 至 +175 ℃
ZVN2120GTC 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用场合，减少开关损耗。
3. 高电流处理能力，可满足大功率负载的需求。
4. 内置反向二极管，提供更好的保护功能，避免因电感负载引起的反电动势损坏器件。
5. 较宽的栅极驱动电压范围，增强了使用的灵活性。
6. 优秀的热性能设计，有助于提升长期运行的可靠性。
ZVN2120GTC 可用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 负载开关及电池管理系统的功率控制。
4. 各类 DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
5. 工业自动化设备中的功率驱动与切换模块。
6. LED 照明系统的恒流或恒压控制。
7. 电动车及消费电子产品的功率管理部分。
IRFZ44N
STP28NF06L
FDP5570
IXFN28N06P
