类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：60V
　　集电极-基极电压（VCBO）：60V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：1A
　　集电极峰值电流（ICM）：2A
　　功耗（PD）：1.5W
　　直流电流增益（hFE）：100 - 400 @ IC = 500mA
　　过渡频率（fT）：150MHz
　　饱和电压（VCE(sat)）：300mV @ IC = 500mA, IB = 50mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-89

ZTX857具备高直流电流增益特性，典型值在100至400之间，尤其是在500mA的工作电流下仍能保持优异的放大性能，这使得它在驱动负载时无需额外的前置放大级，简化了电路设计。其高增益特性特别适用于将微弱的控制信号（如来自微控制器或逻辑门的输出）转换为足以驱动继电器、电机或大功率LED的电流水平。此外，该晶体管的增益一致性好，批次稳定性高，有助于提升量产产品的良率和可靠性。
　　该器件具有较低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)），在IC = 500mA且IB = 50mA的条件下，典型值仅为300mV，最大不超过700mV。低饱和电压意味着在导通状态下功耗更低，减少了热量积累，提高了系统效率，尤其在电池供电或高密度集成的应用中尤为重要。这一特性使其在开关模式下表现优异，能够有效减少能量损耗并延长设备使用寿命。
　　ZTX857的过渡频率（fT）高达150MHz，表明其具备良好的高频响应能力，不仅适用于直流和低频开关应用，还能在中频放大电路中稳定工作。这使得它可用于PWM信号放大、音频驱动或高速数字开关等场景。结合其快速的开关响应时间，该晶体管能够在高频脉冲控制中实现精确的导通与关断，减少开关延迟和交叉导通风险。
　　采用SOT-89封装，ZTX857具有良好的热性能，其封装底部可有效传导热量至PCB，增强散热能力。该封装体积小巧，便于自动化贴片生产，适合大规模制造。同时，器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，确保在恶劣环境下的长期稳定性。

ZTX857常用于中等功率开关电路，例如在微控制器输出端与高电流负载之间作为驱动级使用，实现低压逻辑信号对继电器、电磁阀、直流电机或大功率LED的控制。其高电流驱动能力和低饱和压降使其成为理想的开关元件，广泛应用于家用电器、工业自动化控制系统和汽车电子模块中。
　　在电源管理领域，ZTX857可用于线性稳压器或开关稳压器中的调整管或驱动管，协助实现电压调节和负载切换功能。由于其具备较高的击穿电压和足够的电流容量，也可用于DC-DC转换器中的自举电路或栅极驱动电路。
　　此外，该晶体管适用于模拟信号放大场合，如音频前置放大、传感器信号调理等，尤其是在对增益和线性度有一定要求但不需极高精度的应用中表现良好。由于其工作温度范围宽，ZTX857也常见于汽车电子系统，如车身控制模块（BCM）、车灯控制单元或车载充电器中，能够在高温环境下稳定运行。
　　在消费类电子产品中，ZTX857被用于LCD背光驱动、USB电源开关、电池充放电控制电路等，凭借其高可靠性和小尺寸封装，满足便携式设备对空间和能效的双重需求。

MMBT857